国内SiC碳化硅功率模块30强.docx

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1、国内SiC碳化硅功率模块30强碳化硅功率模块是使用碳化硅半导体作为开关的功率模块。碳化硅功率模块用于转换电能，转换效率高一功率是指电流和电压的乘积。碳化硅半导体带隙宽，用于MOSFET中时，开关损耗极低，因此相较于普通的硅器件，可允许更高的开关频率。同时，与传统的硅半导体相比，碳化硅半导体能够在更高的温度和更高的电压下工作。1、比亚迪半导体股份有限公司国内领先的功率半导体IDM企业，晶网片年产能将达百万级别。功率半导体产品中心作为第六事业部的核心产业之一,产品包括IGBT、SiCMOSFET,二极管和电源IC等产品，已形成包含芯片设计、总圆制造、模块封装与测试、系统级应用测试的完整产业链。比亚

2、迪SiC功率器件包含单管和功率模组两种封装形式。单管产品应用于新能源汽车DC-DC转换模组及AC-DC双向逆变模组；模块产品应用于新能源汽车使电机驱动控制器体积大幅缩小，整车性能在现有基础上大幅提升。规格:750V71200V亮点：车用模块设计，低寄生电感设计，高可靠性，损耗低，SiC芯片应用（汉车型）双面银烧结SiC模块规格：1200V,875A亮点:采用SiCMOSFET芯片，双而烧结与全塑封设计，具备高功率密度低高生电感和低内阻，最高工作结温175C比亚迪已在碳化硅方面取得重大技术突破，比亚迪汉、唐四驱等旗舰车型上已大批使用碳化硅模块。BYDe-P1.atform3.0采用碳化硅模块，车

3、型包括海豹的长续航以及四驱版车型2、株洲中车时代电气股份有限公司株洲中车时代电气股份有限公司是中国中车旗下股份制企业，其前身及母公司一一中车株洲电力机车研究所有限公司创立于1959年。在功率半导体器件领域，时代电气建有6英寸双极器件、8英寸IGBT和6英寸碳化硅的产业化基地，拥有芯片、模块、组件及应用的全套自主技术，全系列高可靠性IGBT产品打破了轨道交通和特高乐输电核心器件由国外企业垄断的局面。2022年4月控股子公司株洲中车时代半导体有限公司拟投资4.62亿元进行碳化硅芯片生产线技术能力提升建设项目，项目建设工期24个月。项目建成达产后,将现有平面棚SiCMOSFET芯片技术能力提升到满足

4、沟槽栅SiCMOSFET芯片研发能力，将现有4英寸SiC芯片线提升到6英寸，将现有4英寸SiC芯片线年10000片/年的能力提升到6英寸SiC芯片线25000片/年。采用中车第二代SiC芯片，具有正温度系数，高浪涌能力等特点。3、嘉兴斯达半导体股份有限公司（603290）勒兴斯达半导体股份有限公司成立于2005年4月，是一家专业从事功率半导体芯片和模块尤其是IGBT芯片和模块研发、生产和销售服务的国家级高新技术企业。斯达半导体主要产品为功率半导体元器件，包括IGBT、W）SFET、IPMxFRDsSiC等等。2022年，公司车规级产品在海外市场取得进一步突破，公司车规级SiC模块开始在海外市场

5、小批量供货。公司应用于乘用车主控制器的车规级SiCMOSFET模块开始大批量装车应用，同时公司新增多个使用车规级SiCvOSFET模块的800V系统的主电机控制器项目定点,将对公司2024-2030年主控制器用车规级SiCMOSFET模块销售增长提供持续推动力。4、广东芯聚能半导体有限公司广东芯聚能半导体有限公司成立于2018年，主营业务为碳化硅基和硅基功率半导体器件及模块的研发、设计、封装、测试和销售。芯聚能半导体未来重点发展市场竞争优势显著的车规级SiCMoSFET功率模块和定制化模块及分立器件,并进一步开发用于光伏、风能、储能、IDC等符合国家“碳达峰”“碳中和”目标和“新基建”方向的工

6、业级SiC功率器件及模块。ACeoPaCkDriVC(APD)系列专为新能源电动车主驱逆变器应用开发的三相桥结构(6-inT),车规级模块产品。模块采用了业界领先的宽禁带半导体：碳化硅(SiC)VOSFET芯片和先进的银烧结(Ag-Sintering)封装工艺，充分满足新能源电动车主驱应用对高功率密度、高可靠性的需求。AccoPackDrive(APD)系列2022年，芯聚能APD系列1200V2mQ三相全桥SiC-VOSFET模块产品，已搭载主驱逆变器上车超过100oO台，实现了规模化量产，交付给极颊威睿电动技术有限公司，搭载到吉利与梅赛德斯奔驰联合品牌一一smart精利#1纯电动SUV和极

7、氮009纯电动MPV的主驱逆变器o2023年2月20-21日，极氟新能源“优秀质量奖”。5、南京银茂微电子制造有限公司南京银茂微电子制造有限公司（以下简称“南京银茂微电子”）于2007年11月在中国江苏省南京市正式注册成立。南京银茂微电子专注于IGBT模块、MoSFET模块、SiC和GaN器件的研发和制造。产品广泛应用于工业变频、电源、新能源（太阳能、电动汽车）等领域。南京银茂微电子可以进行先进的功率芯片设计，并向客户提供一系列具有价格优势的功率模块和分立器件。产品电压等级范围涵盖600V至3.3KVo6、无锡利普思半导体有限公司无锡利普思半导体有限公司成立于2019年，从事晶圆工艺及器件设计

8、、模块封装设计、产品应用、市场推广和产品运营等方面。主要产品包括新能源汽车和工业用的高可靠性SiC和IGBT模块,应用于新能源汽车、智能电网、可再生能源、工业电机驱动、医疗器械、电源等场景和领域。利普思2023年年3月获得Pre-B轮逾亿元融资，本轮资金将主要用于公司在无锡和日本工厂产能的提升，扩大研发团队，以及现金流储备，利普思计划在国内建立一个百万级IGBT和SiC模块的生产基地，产能预计将实现十倍增长，预计于明年年底投产。值得一提的是，利普思H推出的所有SiC模块，均完成了可靠性测试并可量产，高品质、高可靠性的优势也是吸引欧美客户的重要原因。回顾过去一年的快速发展，利普思陆续收获了国内外

9、大客户订单,数款车规级SiC模块和IGBT模块也实现了量产，目前无锡和口本两地的模块封装测试产线总年产能超过90万只。利普思SiC模块产品覆盖650V至1700V,25A至100oA,最大可达400kw的应用需求,包含11种封装类型和儿十个规格型号的产品。针对车用领域，利普思推出了输出功率可达100kwSiCHPD模块及90OAIGBT模块，功率密度水平达到了国内先进、业内一流水准。针对光伏、储能等新能源领域，利普思推出了全SiC方案及混合SiC方案，针对2电平、3电平及多电平的应用，均有可供选择的产品予以满足。针对大功率充电桩市场，利普思也推出了高功率密度SiC模块解决方案，目前已经有实际应

10、用案例。HPD系列功率模块，专为800电机驱动系统开发，满足车规级要求。特性：1.Tjmax=175,C;2.Arcbongding技术：3.Si3N4AMB；4.环氧树脂灌封：5.银烧结。应用领域：电动汽车-80OV电驱。7、赛晶科技集团有限公司赛晶科技集团有限公司是业内技术领先并深具影响力的电力电子器件供应商和系统集成商。2010年10月在香港主板上市，股票代码0580.HKo赛晶亚太半导体科技（浙江）有限公司（简称“赛晶半导体”），是泰晶科技集团有限公司旗下子公司，专注于IGBT、FRD,以及碳化硅等芯片及模块等高端功率半导体产品研发、制造的高科技企业：研发中心，位于瑞士兰兹伯格。技术研

11、发团队，由来自欧洲及国内顶级IGBT设计和制造各个环节的技术专家，在功率半导体领域拥有优秀业绩和几十年实践经验的行业领导者组成。制造中心，位于中国浙江省嘉善县。制造中心的一期项目占地2.2万平米，二期项目占地5万平米，规划建设多条具有国际一流水平的全H动智能IGBT生产线，以及国内技术中心。赛晶半导体拥有国内稀缺、国际领先的自主芯片技术。芯片产品采用赛晶精细沟槽技术、微沟槽技术以及碳化硅（SiC）技术，涵盖中压750、1200V、170OV三大电压平台。2023年8月赛晶科技发布公告称，公司控股子公司赛晶亚太半导体科技（浙江）有限公司（简称“赛晶半导体”）完成A轮融资。本次融资估值为投后27.

12、2亿元，由安创空间，河床资本，亚禾资本投资。本次融资后，赛晶科技持股比例为70.53%。赛晶半导体表示,本次融资所得资金将重点用于公司最新的IGBT模块和SiC模块生产线建设。其中，厂房内部建设和设备采购已经开始。此外，资金还将用于人才团队的扩充，以及微沟槽IGBT芯片和SiC芯片等的研发。2023年8月30口，赛晶半导体正式发布车规级HEEV封装SiC模块。为电动汽车应用量身定做的HEEV封装SiC模块，导通阻抗低至1.8mQ(25C),可用于高达25Okw电驱系统，并满足电动汽车驱动系统对高功率、小型化和高可靠性功率的需求。冷却直接水冷，并采用先进陶瓷材料降低热阻；0型圈密封。可嵬性压注模

13、封装,提高对环境友好性，如湿度；更好的功率循环寿命；无大面积焊接底板；芯片银烧结；铜线邦定。易安装简单压板安装；紧凑封装设计赛晶半导体第二款SiC模块-EVD封装SiC模块。该款产品，采用乘用车领域普遍采用的全桥封装。通过内部优化设计，具有出色的性能表现。与业界头部企业相同规格封装模块对比，赛品EVD封装SiC模块的导通电阻低10%至30%,连接阻抗低33乐开关损耗相近或者更低(相同开关速度)。用于信号端了的创新工艺和设计先进的内部SiC芯片并联排布,以及极低的连接阻抗。8、基本半导体深圳基本半导体有限公司是中国第三代半导体创新企业，专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化。总部位于深圳，在北京、

14、上海、无锡、香港以及日本名占屋设有研发中心和制造基地。公司拥有一支国际化的研发团队，核心成员包括二十余位来自清华大学、中国科学院、英国剑桥大学、德国亚琛工业大学、瑞士联邦理工学院等国内外知名高校及研究机构的博士。基本半导体掌握碳化硅核心技术，研发覆盖碳化硅功率半导体的材料制备、芯片设计、晶圆制造、封装测试、驱动应用等产业链关键环节，拥有知识产权两百余项，核心产品包括碳化硅二极管和MOSFET芯片、汽车级碳化硅功率模块、功率器件驱动芯片等。2022年深圳基本半导体有限公司宣布完成C3轮融资，由粤科金融和初芯基金联合投资。基本半导体汽车级碳化硅功率模块产品PCOrCN6、pcorew2等产品采用全

15、银烧结、DTS+TCB(DieTopSystem+ThickCuBonding)等前沿封装技术，在栅极输入电容、内部寄生电感、热阻等多项参数上达到国际先进水平，可有力支持车企实现电机控制器从硅到碳化硅的替代，显著提升整车效率，降低制造和使用成本。深切I：功率器件驱动及功率模组产线通过IS09001与IATF16949体系认证年产能达200万只。深圳:光明晶圆厂6-inch车规级碳化硅晶圆产线,2023Q4量产计划无锡：汽车级碳化硅功率模块封装产线通过ISO9001与IATF16949体系认证,2021年Q4通线,2022年量产基本半导体封装开发以功率模块输出功率密度为指向，进行相应结构，材料，

16、工艺创新。技术概览：银，铜烧结可实现零空洞，低温烧结高温服役，焊接层厚度减少60-70%,适合高温器件互连，电性能、热性能、可靠性均优于锡焊料。激光焊接采用高集中度高能量的激光进行铜对铜的焊接，克服超声焊接对设计的间隙要求，做更小功率密度更高的模块。铜箔烧结以及铜线焊接技术采用超声焊接技术在常温条件下将粗铜线与AMB基板、铜线与芯片表面覆铜片键合，相较铝线键合，大幅提升模块寿命、电流及导热能力。C1.ipBond铜排宜接连接技术代替引线键合连接，提高电流过载能力可竟性,降低产品封装杂感能力塑封双面散热取消了引线键合而使用金属缓冲层来承担电流流动，有效降低功率模块的结-壳热阻，减小了模块的寄生电感与体积，提高功率密度。9、上海林众电子科技有限公司