半导体CMP材料:集成电路关键制程材料.docx
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1、在晶圆制造材料中,CMP抛光材料占据了7%的市场。根据不同工艺制程和技术节点的要求,每一片晶圆在生产过程中都会经历几道甚至几十道的CMP抛光工艺步骤。从0.35m技术节点开始,CMP技术成为了目前唯一可实现全局平坦化的关键技术。化学机械抛光技术(CMP)全称为ChemicalMechanicalPolishing,是集成电路制造过程中实现晶圆全局均匀平坦化的关键工艺。集成电路制造过程好比建房子,每搭建一层楼层都需要让楼层足够水平齐整,才能在其上方继续搭建另一层楼,否则楼面就会高低不平,影响整体可靠性,而这个使楼层整体平整的技术在集成电路中制造中用的就是化学机械抛光技术。集成电路制造需要在单晶硅
2、片上执行一系列的物理和化学操作,工艺复杂,在单晶硅片制造和前半制程工艺中会多次用到CMP技术。在前半制程工艺中,主要应用在多层金属布线层的抛光中。由于IC元件采用多层立体布线,需要刻蚀的每一层都有很高的全局平整度,以保证每层全局平坦化。与传统的纯机械或纯化学的抛光方法不同,CMP是一种由化学作用和机械作业两方面协同完成的抛光方法,能够实现晶圆表面的高度(纳米级)平坦化效果,是薄膜平坦化的最佳利器,进而能够改良芯片的整体结构,提升芯片的综合性能。根据ICInsights统计数据,2018年全球CMP抛光材料市场规模为20.1亿美元,其中抛光液和抛光垫市场规模分别为12.7亿美元和7.4亿美元,中
3、国抛光液市场规模约16亿人民币,预计2017-2020年全球CMP抛光材料市场规模年复合增长率为6%o从产业链上看,CMP抛光材料位于上游。中游为晶圆加工和芯片制造,下游为计算机、通讯、汽车电子、工控医疗等终端应用。CMP的主要工作原理是在一定的压力及抛光液的存在下,被抛光的晶圆对抛光垫做相对运动,借助纳米磨料的机械研磨作用与各类化学试剂的化学作用之间的高度有机结合,使被抛光的晶圆表面达到高度平坦化、低表面粗糙度和低缺陷的要求。CMP抛光材料主要包括抛光液、抛光垫、调节器、清洁剂等,其市场份额分别占比49%、33%、9%和5%。主要以抛光液和抛光垫为主,至2018年市场抛光液和抛光垫市场分别达



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