半导体专业用语.docx

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1、金属前介质层(PMD)金属间介质层(IMD)W塞(WPLUG)钝化层(PaSSiVaIion)acceptor受主，如B,掺入Si中需要接受电子Acid：酸actuator激励ADIAfterdevelopinspection显影后检视AEIAfteretchinginspection蚀科后检查AFMatomicforcemicroscopy原子力显微ALDatomiclayerdeposition原子层淀积Alignmark(key):对位标记Alignment排成一直线，对平Alloy：合金Aluminum：铝Ammonia：氨水Ammoniumfluoride：NHFAmmoniumhy

2、droxide：NHOHAmorphoussilicon：-Si,非晶硅(不是多晶硅)amplifier放大器AMU原子质量数Anakg：模拟的analyzermagnet磁分析器Angstrom：A(E-m)埃AniSOtrOPiC:各向异性(如PoLYETCH)Antimony(Sb)Warcchamber起弧室ARC：anti-reflectcoating防反射层Argon(Ar)MArsenicEoxide(AsO)三氧化二珅Arsenic(As)WArsine(AsH)Cassette装晶片的晶舟CD：criticaldimension关键性尺寸,临界尺寸Chamber反应室Char

3、t图表Childlot子批chiller制冷机Chip(die)晶粒Chip：碎片或芯片。clamp夹子CMP化学机械研磨Coater光阻覆盖(机台)Coating涂布，光阻覆盖Computer-aideddesign(CAD)：计算机辅助设计。ContactHole接触窗ControlWafer控片Correlation：相关性。Cp：工艺能力，iJQ1processcapabilityCriticallayer重要层CVD化学气相淀积Cycletime生产周期Defectdensity：缺陷密度。单位面枳内的缺陷数。Defect缺陷DEPdcposit淀积Depthoffocus(DOF)

4、：焦深。Descum预处理Developer显影液；显影(机台)developer：I)显影设备；II)显影液Development显影DGdualgate双门DIfilter离子交换器DIwater去离子水Diffusion扩散disk靶盘disk/flagfaraday束流测量器Doping掺杂Dose剂量Downgrade降级DRCdesignrulecheck设计规则检查DryClean干洗Duedate交期Dummywafer挡片E/Retchrate蚀刻速率EE设备工程师ELSextendedlifesource高寿命离子源enclosure夕卜克ASHER一种干法刻蚀方式Ashe

5、r：去胶机ASl光阻去除后检查ASIC特定用途集成电路Aspectration：形貌比(ETCH中的深度、宽度比)ATE自动检测设备Backend：后段(CoNTACT以后、PCM测试前)BacksideEtch背面蚀刻Backside晶片背面Baseline：标准流程Bcam-Currcnt电子束电流Benchmark：基准BGAballgridarray高脚封装Bipolar：双极Boat：扩散用(石英)舟BPSG含有硼磷的硅玻璃ICPinductivecouple plasma 感应等离子体ID辨认，鉴定IGBT绝缘门双极晶体管 images：去掉图形区域的版 implant 注入Imp

6、lant 植入 impurity n 掺杂 impurity：杂质 inductive coupled PlaSma(ICP)：感应等离子体 inert gas：惰性气体 initial oxide： 一氧 insulator：绝缘 isolated line：隔离线 junction 结 junction spiking n 铝穿刺 kerf划片槽 landing pad n PAD Layer层次LDD lightly doped drain轻掺杂漏liner drive直线往复运动 lithography n 制版 loadlock valve靶盘腔装片阀 Local defocus局部

7、失焦因机 台或晶片造成之脏污Break中断，stepper机台内中途停止键cassette晶片盒EndPoint蚀刻终点e-shower中性化电子子发生器ETetch蚀刻EXhaUSl排气(将管路中的空气排除)Exposure曝光extrantionelectrode高压吸极FAB工厂fab：常指半导体生产的制造工厂。FIBfocusedionbeam聚焦离子束FieldOxide场氧化层filament灯丝film：薄膜，圆片上的一层或多层迭加的物质。flataligener平边检测器metaln金属MetaIVia金属接触窗MFG制造部Mid-Currcnt中电流Module部门nanom

8、eter(nm)n：纳米nanosecond(ns)n：纳秒NITSiN氮化硅nitrideetchn：氮化物刻蚀nitrogen(N)n：氮气，一种双原子气体Non-Critical非重要NPn-dopedplus(N+)N型重掺杂n-typeadj：n型NWn-dopedwellN阱ODoxidedefinition定义氧化层ohmspersquaren：欧姆每平方方块电阻OMopticmicroscope光学显微镜OOC超出控制界线OOS超出规格界线orientationn：晶向，一组晶列所指的方向OverEtch过蚀刻Overflow溢出overlapn：交迭区Overlay测量前层与

9、本层之间曝光AAt什Tifr:flat：平边flatbandCapacitanse：平带电容flatbandvoltage：平带电压Flatness平坦度flowcoefficicent：流动系数flowvelocity：流速计flowvolume：流量计flux：单位时间内流过给定面积的颗粒数Focus焦距forbiddenenergygap：禁带Foundry代工four-pointprobe：四点探针台FSG含有氟的硅玻璃functionalarea：功能区Furnace炉管gateoxide：栅氧glasstransitiontemperature：玻璃态转换温度GOIgateoxid

10、eintegrity门氧化层完整性gowning：净化服grayarea：灰区gyrodrive两方向偏转hardbake：后烘，坚烘,sofbake（软烘）HCIhotcarrierinjection热载流子注入HDP：highdensityplasma高密度等离子体heatexchange热交换机High-Voltage高压host：主机Hotbake烘烤hotcarriers：热载流子hydrophilic：亲水性hydrophobic：疏水性pnjunctionn： Pn 结Pod装晶舟与晶片的盒子Polymer聚合物POR Process of recordpost accel 后加

11、速器 PlasmaBIST,Built-inSelfTest内建的自测试Bus Route总线布线Carbide 碳circuit diagram 电路图Circuit电路基准Clementine专用共形开线设计水 Cluster Placement 簇布局PMDpremetaldielectric 电容 PP p-doped plus(P+) P 型重掺杂PR Photo resisit 光阻PR photo resist 光阻 pure water n 纯水。 半导体生产中所用之水。 PVD物理气相淀积PW p-doped well P 阱 quad rupole lens磁聚焦透镜 qu

12、artz carrier n 石英舟。Queue time等待时间 Qtime-DUMMY:从此步骤到 下一个步骤一共停留的时间范 围(超出范围会出问题) 显影前烘焙(PEB)：降低或消除 驻波效应R/C runcard 运作卡SOG是一种相当简易的平坦化技 术。因为介电层材料是以溶剂的 形态覆盖在硅片表面，因此 SOG对高低起伏外观的“沟 填能力”非常好，可以避免纯粹 以CVD法制作介质层时所面 临的孔洞问题Spacer ： SPACER 工艺是通 a LPTEPS ETCH BACK ，GroundBounce地弹反射GULGraphicaI User Interface 图 形用户界面H

13、armonica射频微波电路仿真 HFSS三维高频结构电磁场仿真 HMDS (六甲基二硅胺)：涂胶前 处理，增加圆片衬底与光刻胶的 粘附性IC Integrate Circuit 集成电路 Image Fiducial 电路基准 Impedance 阻抗 In-Circuit-Test 在线测试 Initial Voltage 初始电压 Input Rise Time输入跃升时间 Inverter -逆变器Jumper跳线LCD Liquid Crystal Display 液晶 显示LCM Liquid Crystal Module 液 晶模块LED Light Emitting Diode

14、 发光 二极管Linear Design Suit线性设计软件 包Local Fiducial 个别基准 manufacturing 制造业MCMs,Multi-Chip Modules 多芯 片组件MDE,MaxwellDesignEnvironmentMerge合并 MFG制造部Nonlinear Design Suit 非线性设 计软件包NVT： NMOS调阈值电压 ODB+ Open Data Base 公开数 据库OEM原设备制造商OLE Automation目标连接与嵌 入On-line DRC在线设计规则检查 ONO：氧化层-氮化层-氧化层介 质；用作电容介质Optimetric

15、s优化和参数扫描 OSD On Screen Display 在屏上 显示Overshoot过冲 PAC感光化合物 Panel fiducial 板基准CM合约制造商COFChipOnFPC将IC固定于柔性线路板上COGChipOnGlass将芯偏固定于玻璃上CommonImpedance共模阻抗componentvideo-分量视频Compositevideo-复合视频Concurrent并行设计ConstantSource恒压源CooperPour智能覆铜Crosstalk串扰CRTCathodeRadialTude阴极射线管DCMagnitude直流幅度Delay延时Delays延时DesignforTesting可测试性设计Designator标识DoF焦深DepthOfFocus,区分I