ARM9外接晶片读写的验证-以8255为范例.docx
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1、ARM9外接晶片瘾的瞬SE-以8255悬靶例外接8255主要目的是透谩位址及资料做外接晶片的缭I.ARM9可透退如附1所示的樽接虢筠?携充其他的晶片功能.P133I33333yI1186TTATACTADADADADADADTA4DATA2DTOA1.A3A57A9A1.1.AI3AI5nOEnWEKBDINTxxxxO24CRVV/A.A-A-A.o-46811.R55DDDDDDDDAAAAAAAAn圈1.ARM-9的樽接SR就解码位址阈2代表ARM-9的外接髓解礁位址分Mi,共分8他IS段(bank)。适些扇段分别由11GCSO-11GCS7求解Ii配每佃显段(bank)共有128MB的
2、官已情的空间。BankO及Bank1.分别由快1对1已慢的(F1.ashmemory)及随檄渣取SCtfe醐(SI)RAM)所估用。Bank2的解礁致能.蛛11CGS2位於透遇ARM-9枝展板樽接槽的第34他接臊,如陶11所示。nCGS2解礁位址分Mi於OX1.oooooooOXI8000000,如留2所示。(kCCCCpcpc4OM(IM-01.10OMn刈-00OOoo,HotJMdNotujecJ04600.0000fSFRAreoSFRAfMCx4000JTtW4(YVY)4BcotSRAM(4KB5M)Ho2M三4,4MB8WB*1MBf丫3BUft3f12SMJ3ASROMCnGC
3、sS)SROM(rGCSS12SMBObXYVI11(VY1*SROM(HGCS4)SROM(rvGCS4128MBIGBHADORm3dQttHAfW1SROM(nGCS3)SROM(hGCS3ACCBeie1MBRe90nSROM(nGCS2)SROMC11GCS2128M9aMOYY1.4SOM(nGCSSROM(r*GCSn12SMBSROM(RGCSO)CIMB(NotMMt0MANDf1.nforbootRoM1.IUFHANDIUforbodROWJNOTES:1. SRCWmeanROMOrtypememory2. SFRrreanoSpecaF1.c3o*RemoterFig
4、ure5-1.S3C2410XMemocyMapafterReSo1.圈2.nGCS2的解碟位址分MiIS1.3中ARM9的肥慵山段(Bank)的解码御2nGCS2接8255的/CS:(1.,0)分别接8255的(A1.0):DATA7-DATA0分别接8255的D7-D0,如圈3所示。所以8255的(PORTA,PORTB1PORTC,CT1.)的窗入位址定教如卜.:PORTA=Ox10000000;PORTB=Ox10000001;PORTB=Ox10000002;CT1.=Ox10000003:RM-9的资料给S共有32位元(DATA31-DATA0)。然而外接i惚髓(或I/O)可规副咨
5、8位元、16位元及32位元共三梗模式。窕竟避择那硬模式,可透通嫌鄢JBWSC(W抑存器的内容来;夬定。BWSCON怛存器的位址卷0x48000000,猊制Bank2的外接恒健(或I/O)资料缘涌t窝位元数港8位元,可祝副BWSCON留存器的(bit9,bit8)00.如O4所示.程式娘副的卷考方法如下RegisterAddressRWDescriptionResetVa1.ueBWSCON0x46000000RWBmwth&waitstatuscontro1.regtst6f0x000000USWIDTH&WAITCONTRO1.REGISTER(BWSCON)(Continued)WS2oi
6、DetemmeWAITsttusfcxbank20三WAIT53We1三WAJTenab1.e0DW2(9:8Determinedatabusxfthforbank200=841.B(ThepinsarededicatednV8E(30)1=UsmgUB4.B(ThePnSgdedicated11BEOJ)0WSI6JDeternwieWAJTstatusfcxbank10WAITdaWe1WAITenab1.e0DWIWDeterminedatatxswdthfortak100=84)rt01=16-brt.10=32X11=reserved0DWORI1.Indicatedatabswid
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