光通信实验系统实验指导书.docx
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1、试验一:试验5&试验92试验二:试验711试验三:试验8&试验1113试验四:试验2519注:按住Ctr1.并单击试脍序号可快捷访问试验一:试验5半导体光源P-I特性曲线测试一、试验目的,1. 了解光源和光发送机的电光转换原理:2. 了解半导体光源的发光特性;3. 比较1.D和1.ED的P-I特性的区分。二、试验原理:1 .激光二极管的基本结构和工作原理:在半导体激光器重要形成激光,须要具备以卜两个基本条件,一是有源区里产生足够的粒子数反转分布,二是存在光学谐振腔机制,并在有源区里建立起稳定的震荡。图5.1示出的是双异质结(DH)激光器的条形结构,这种结构由三层不同类型的半导体材料组成,不同材
2、料放射不同的光波长。结构中间有一层厚0.10.3,”窄带隙P型半导体,称为有源层:两侧分布为宽带隙的P型和N型半导体,称为限制层。三层半导体置于基片(衬底)上,前后两个晶体解理面作为反射镜构成法布里-珀罗(F-P)谐振腔。图5.1长波长双异质结(DH)平面条形激光器的拓本结构图5.2所示为DH激光器的工作原理。由于限制层的带隙比有源层宽,施加正向偏压后,P层的空穴和N层的电子注入有源层。P层带隙宽,导带的能态比有源层高,对注入的电子形成了势垒,注入到有源层的电子不行能扩散到P层。同理,注入到有源层的空穴也不行能扩散到N层。这样,注入到有源层的电子和空穴被限制在厚0.1。如的有源层内形成粒子束反
3、转分布,这时只要很小的外加电流,就可以使电子和空穴浓度增加而提高效率。另一方面,有源层的折射率比限制层高,产生的激光被限制在有源区内,因而光电转换效率很高,输出激光的阀值电流很低,很小的散热体就可以在室温连续工作。川复介图5.2DH激光器工作原理S)t-aobinx,-af50IIM100ISO图5.3激光器输出特性曲线2 .发光二极管的基本结构和工作原理:在光纤通信中运用的光源,除了半导体激光器(1.D)以外,还有半导体发光二级管(1.ED)。1.ED与1.D的工作原理不同,1.D放射的是受激辐射光,1.ED放射的是自发辐射光。1.ED的结构和1.D相像,大多是采纳双异质结(DH)芯片,把有
4、源层夹在P型和N型限制层中间,不同的是1.ED不须要光学谐振腔,没有阀值。1.ED是由GaASA1.类的P型材料和N型材料制成,在两种材料的交界处形成了P结。若在其两端加上正偏置电压,则N区中的电子与P区中的空穴会流向PN结区域并复合。复合时电f从高能级范围的导带跃迁到低能级范围的价带,井释放出能量约等于禁带宽变纥(导带与价带只差)的光子,即发出荧光。发光电:极管有两种类型,如图5.4所示:一类是正面发光型1.ED,另一类是侧面发光型1.ED。两者相比较而言,侧面发光型1.ED驱动电流较大,输出光功率较小,但由于光束辐射角较小,与光纤的耦合效率较高,因而入纤光功率比正面发光型1.ED大。图5.
5、4两类发光电二极管1.ED的P-I特性曲线如图5.5所示,在低注入电流范围内其线性程度比1.D好,且不存在,所以1.ED适合用在光纤模拟通信系统中。1.ED光功率的温度稳定性也比1.D好,其功率温度系数约为-1%/C(称为负温度系数),即1.ED光功率随温度上升而缓慢减小。1.ED的输出光功率最大可达几个mWO5好谷火壬三图551.ED的输出光功率特性曲线三、试殴步骤:本试验项目为:半导体光源(1.D)的P-I特性曲线测试,其中P为平均发送光功率,I是注入电流,测试框图如图5.6所示,其中S、R为活动连接器,RP103为可变电阻,位于数字光发送电路的上方。数字万用表码取发生捐光功率计图5.6数
6、字光发送机P-I曲线测试框图本试验详细的试验步骤为:1 .码型发生器自A点(试验箱TP102)给光发送机送方波信号作为测试信号。试验时,通过键盘选择方波信号(平台加电后,先按卜.“复位”键复位系统,待出现“请选择”提示后,选择“方波”并按下“确认”),此时,TP102处应当能够测到方波信号。为了把数字信号发往线路,除了要用开关KP1.O1.选择数字信号输入(开关推向“数字”),还须要通过KP102选择模拟光源和数字光源驱动电路,本试验中选择数字光源驱动电路(开关推向“数字”即可)。2 .用光纤跳线连接光发送模块的光输出与光功率计,此时从光功率计读出的功率就是光端机的平均发送光功率Po3 .此时
7、,测1.D负载电阻(R=R105+RP103)电压的方法,将万用表电压量程拨至2.5V档,万用表黑表笔接测试点(A单元TPIO3、B单元TP203),红表笔接VeC电源正极或(A单元N1.O1.(D)8脚、B单元N201(D)8脚模/数检测切换可将(A单元KP1.02、B单元KP203)拨至对应位置,VR=I0R可用万用表RXI档干脆测得,测得的电压除以电阻值R=R105+RP103(注:测电阻值时应当将平台供电切断),其中R105是51C的固定电阻,RP103阻值为TP103与VCC之间的阻值,这样便可以得到注入电流I。变更RP1.03的阻值,得到一组数据,我们便可以绘制P-I特性曲线。说明
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