《微电子技术及应用》实验教学大纲.docx

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1、微电子技术及应用实验教学大纲一、课程基本情况课程代码：13145223505课程名称（中，英文）：微电子技术及魔用/Microdcc1.ronicsTechno1.ogyandApp1.ications课程类别：专业选修课程学分；2总学时：32理论学时：24实验/实践学时：8适用专业：金国材料工程适用对象：本科先修课程：材料科学基础、材料物理性能、材料近代分析测试方法教学环境：多媒体教室/实验室开课学院：材料科学与工程学院二、课程茴介金电子技术及应用是金属材料工程的专业选脩课程之一.微电子技术及应用实验课程是理论课的廷伸,它的主要任务是使学生获得实验的基本操作和技能的训练,是提薪学生独立操作能

2、力、分析问题和解决问题能力的一个理要环节微电子技术及应用实脸有4个实验项目,实脸内容包含半导体材料电阻率的四探针法测域、微观结构测试与分析、二氧化砂笥膜制备与限度测此和集成芯片解剖观察与封装材料识别，三、实验破学目标微电子技术及应用实验课程是本课程的R要实践教学环节，是实现本专业应用型人才培界的主要手段之一.通过本实验课的实验教学使学生们掌握微电子技术中一些重要实验的原理、方法：熟悉常用测试仪器、设备：加深对微电子科学理论的理解.培养学生灵活运用理论知识解决实际问题的能力.锻爆学生分析、探讨和总结实验结果的能力,使学生在实验技能和方法方面得到进一步训练,提升学生在专业技术领域的竞争力.四、实验

3、项目及学时安排序号实验项目名称实般学时实验类型实验要求每组人数1半导体材料电阻率的四探针法测量2综合性必做2-32微观结构测试与分析2绘合性必做2-33二氧化畦薄膜制备与理度测址2综合性必做2-34集成芯片解剖观察与封装材料识别2绘合性必做2-3五、实验内容实骁半导体材料电阻率的四探针法测试实验目的：掌握四探针法测址半导体材料电阻率和薄层材料电阻的测试原理及方法：r解热探针判别材料导电类型的机理和方法。实验设备；四探针测试仪实骁内容及步骤：实裟前要认出阅读实蛤指导国及相关理论知识，掌握本次实验的实蛤项目、内容.在实胎过程中严格遵守操作规程.测试给定的不同规格半导体材料样品电阻率，使用EXCE1

4、.软件时各个样品的刈试数据进行指定方式的计究和处理.试用热探针判别材料导电类型.实验二微观结构测试与分析实5金目的：掌握金相显微测豉分析系统的使用方法.实验设备：金和显微镜,试样.她光机.砂纸.实舲内容及步班?；实粉前要认IX阅读实脸指导修及相关理论加识，掌握本次实验的实险11.内容。在实验过程中严格遵守操作规程.切割、制i金相试样，调节金相显激镜观察认识半导体材料的微观祖织，对材料中可能存在的玦陷进行分析，讨论杂质及缺陷产生的原IS-实脸三二氧化R薄腴制备与厚度测地实骁目的：了就：氧化硅的性质及在半导体器件中的作用；掌握二弱化硅薄膜制茶与原度测坡的方法.实5金设备：氧化设符.椭圆偏振仪.干涉

5、H微慎.实段内容及步骤：实验前要认真的读实验指导书及相关理论知识,掌握本次实5金的实验项目、内容。在实脸过程中严格遵守操作规程.让学牛.观察认识二领化瑞海膜制备方法及工艺特点，分析比较不同厚度测攻方法的工作原理。实验四集成芯片解剖观察与封装材料识别实脸目的：了解常用器件的内部结构，分析结构特点和设计思路。实裟设备：集成芯片实粉内容及步媒；实$金前要认真阅读实的指导匕及相关理论知识，掌握本次实粉的实验项目、内容.在实验过程中严格遵守操作规程，对己解剖的晶体管和集成电路，观测井绘制其内部元器件结构图形。六、实验报告格式实疆名稼（一）实验目的（二）实险设需（三）实验内容及步赚（四）结果与分析（五）问

6、题讨论七、考校方式（一）实验成绩的构成实验成绩占课程综合评定成绩比例为20%,参考实验考勤、实验操作及实验报告成绩综合给定.（二）实验成绩评分标准1 .实脸成绩以百分制或五级制（优、良、中、及格、不及格埴报，然后按比例记入该课程成绩中.2 .多个实验项目的要最后填报平均成绩.3 .按照实5指导书的具体要求,根据每个学生实验的的预习准备，实聆过程的考查.实物操作情况及实验报告的质fit综合给出实5金成绩.4 .实脸评分应包括三个方面：（1）实粉颈习及实脸纪律占20%：（2）实龄操作占40%：（3）实脸报告占40%,评分等级：评定成绩分优、良、中、及格和不及格五个等然优；90分以上：1.:80-8

7、9分：中：7079分：及格：6069分：不及格：59分以下，也可通过百分制给出四个实验的综合成绩.实物成绩评定及考核标准考核环节考核结果及标准评估项目及权里优秀（901.00分）良好（80-90分）中等（7080分）及格（6070分）不及格（Y60分）实验预习及实胸圮神（20%）实验前能编技如实的要求.提前预习.掌握如内容,蒙襄实验安全操作规程,逸守实软纪律.实验前能物技解实验要求.1Atffi习，较好的求提实5内容、掌握实验安全操作规程，iff守实验纪Hi.实验前货略按照实的要求,Wriffi习，了解卖验内容、实整安全操作规程,较建守实验et.实验曲优峰技联实融要求.提1预习.牖本了快实验内

8、咨、实验安全探作WfS.较边守实验纪律.实验的未能按照实躲要求,未提前预习，不了解实收内容、未能掌握实的安全操作规程.能蜉根据实验目M移根郴实脸目僮绢根据实验目能纾根据实验目不傥根掂实验目的.独立设计优化的.独立设计实的.设计实验步的,设计出基本的的.设计出相应的实验步香，独立成K,独立或合作H1.独立或合作完实验步骤，W4f1.实验步球，不能克合作完成实给找完成买5操作，揉成文的操作,未作完成实脸操作，探成实验操作段提农的根作作，H操作规公；作较为规数；记录总本规葩:记录实作出本规依：记录作不规他；不住记40%)准确记求实物现实验现领较为准验现般并对实验实验现象并对实Jft实验现象,不能象.

9、并对实物现象确.并对实险现软现象进行分析讨的现象进行初步分对实Jft现软进行进行维言的分析讨进行标台的分析.称出实验结析讨论.如H1.实验分析讨论,不使静论，得出合理的实脑结果,讨论，得出较为合理的实皱结果*K.ffi%.出实验结果.实发报告能够独立实蛟报告能够独、?实的报告僮缈独立实岐报告基本能终实检报告不俺独立完成，内容完整，数完成，内容完整，完成，内容完壑，独立完成，内苕克完成.存在按袋现据合理,IkffiftJSjE数搦依为合理.Vi政处基本合理.使整数据图表齐仝象.报由中提出的确.图我规范.傥期掂处理正确图表络进行数据处理.整本完成实验报吉“咫没仃或必本没实验报告（40%）正班完成实

10、欣报告中提出的问连，并对实验中遇到的问IS遗行深入的讨论，提出门已的见解.基本规莅.能够较好的完成大的报告中提出的问JB，井对实验中遇到的问保进行讨论.提出双汕.图衣柒本赛班.购M本完成阳发报i中提出的问愿，能对卖验中遇到的何2进行讨论.中樨出的问麴.有回答.八、教学费M实验指导书：微电子技术及应用实验指导书（自编）建议教材：（1）施敏等主编.半导体制造工艺基础.安徽大学出版社,2020（2）陈洋等主编.芯片制造半导体工艺与设备.机械工业出版社.2021主要舂考书：（1）李薇薇.微电子工艺茶础.化学工业出版社.2007（2）（关）坎贝尔.微电f制造科学原理与工程技术.电子工业出版社、2023（3）JXftHt.集成电路科学与工程导论.人民由口电出版社,20集（4）孙松.集成电路材料科学与工程基础.科学出版社.2022