专业英语第一讲.ppt

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1、Physics of Semiconductor Devices (双语)课程简介n关于名称Physics of Semiconductor Device（双语）微电子专业英语n大学英语科技英语专业英语n课程目的培养n阅读能力n写作能力n听说能力掌握n专业词汇n基本语法n专业知识课程简介n授课形式阅读理解难句解析多媒体课堂作业n翻译n做报告n考核方式课堂作业（20%）、考试（80%）1，单词英译中；2，单词中译英；3，句子英译中4，句子中译英；5，英文回答问题。教材n微电子技术专业英语（Microelectronics English）吕红亮、李聪 编著贾新章 审校电子工业出版社 出版出版中教

2、材目录1nSession 1 Introduction to SemiconductornSession 2 Crystal StructurenSession 3 Band ModelnSession 4 The Semiconductor in EquilibriumnSession 5 Carrier TransportnSession 6 Nonequilibrium Excess Carriers in SemiconductornSession 7 The pn Junction（I）nSession 8 The pn Junction（II）nSession 9 Metal-Se

3、miconductor ContactsnSession 10 HeterojunctionsnSession 11 The Bipolar Junction Transistor（I）nSession 12 The Bipolar Junction Transistor (II)nSession 13 Basics of MOSFETsnSession 14 Nonideal effects of MOSFETsnSession 15 Advanced MOSFET Devices教材目录2nSession 16 Introduction to Integrated CircuitsnSes

4、sion 17 Analog Integrated Circuits DesignnSession 18 Digital Integrated Circuits DesignnSession 19 Radio Frequency Integrated Circuits DesignnSession 20 Simulation and Verification of Integrated CircuitsnSession 21 Introduction to the Semiconductor technology（I）nSession 22 Introduction to the Semico

5、nductor technology (II)nSession 23 Bipolar Technology and GaAs Digital Logic Process nSession 24 CMOS TechnologynSession 25 Reliability参考教材nThe physics of semiconductor devices, Third EditionFraser, D, AClarendon Press, Oxford1983nSemiconductor physics and devices: basic principlesDonald A. NeamenMc

6、Graw-HillnPhysics of semiconductor devicesS. M. Sze and Kwok K. NgWiley推荐采用合适的字典n “英汉科学技术词典”清华大学外语系“英汉科学技术词典”编写组编国防工业出版社n“Longman Dictionary of Contemporary English”朗文当代英语词典外语教学与研究出版社专业英语学习的三要素n专业词汇n基本语法关系n结合专业内容1、专业词汇、专业词汇特别注意行业内的普遍认可的名称。特别注意行业内的普遍认可的名称。nWafer；Die；Chipn晶片（晶圆）；裸片；芯片1、专业词汇、专业词汇特别注意行业

7、内的普遍认可的名称。特别注意行业内的普遍认可的名称。nThe majority of bipolar transistors used in ICs are of the npn type because the higher mobility of minority carriers (electrons) in the base region results in higher speed performance than can be obtained with pnp types.n翻译翻译1：IC中所用双极晶体管大多数是中所用双极晶体管大多数是NPN型的，因为它在基区中型的，因为它在

8、基区中少数载少数载体体（电子）的更高（电子）的更高移动性移动性产生比产生比PNP型所能得到的更高速度的性能。型所能得到的更高速度的性能。n翻译翻译2：IC中所用双极晶体管大多数是中所用双极晶体管大多数是NPN型的，因为基区中型的，因为基区中少数载流子少数载流子（电子）具有较高的（电子）具有较高的迁移率迁移率，使，使NPN晶体管的速度性能高于晶体管的速度性能高于PNP晶体管。晶体管。1、专业词汇、专业词汇特别注意行业内的普遍认可的名称。特别注意行业内的普遍认可的名称。nNext, a high-temperature ( 1100C) drive-in step forms the n+-bur

9、ied layer, which has a typical sheet resistance of 20/.n翻译翻译1：接着，一个高温（约为：接着，一个高温（约为1100）驱入驱入步骤形成步骤形成N+埋入层埋入层，它具有典型的，它具有典型的平板平板电阻电阻20/。n翻译翻译2：然后采用高温（约为：然后采用高温（约为1100）再分布再分布步骤形成步骤形成N+埋层埋层，其，其方块电阻方块电阻典型值为典型值为20/。nFigure 2.33b shows a cross-sectional view of the device after the epitaxial process.n翻译翻译1

10、：图：图2-33b示出了外延过程之后，器件的示出了外延过程之后，器件的交叉区视图交叉区视图。n翻译翻译2：图：图2-33b显示的是经过外延工艺之后的器件显示的是经过外延工艺之后的器件剖面图剖面图。1、专业词汇、专业词汇特别注意行业内的普遍认可的名称。特别注意行业内的普遍认可的名称。nThe conventional MOS isolation process has some disadvantages that make it unsuitable for deep-submicrometer (0.25m) fabrication.n翻译翻译1： 传统传统MOS隔离过程具有一些劣势，这使之

11、不适合于隔离过程具有一些劣势，这使之不适合于深度次微米深度次微米(0.25m)制造制造n翻译翻译2： 传统传统MOS隔离工艺具有一些缺点，使其不适合于隔离工艺具有一些缺点，使其不适合于深亚微米深亚微米(0.25m)制制造造nTo control the formation of such defects, special inline monitoring techniques are required.n翻译翻译1：为了控制：为了控制这种这种缺陷的形成，就要求有特殊的缺陷的形成，就要求有特殊的内嵌（内嵌（inline）监控技术。监控技术。n翻译翻译2：为了控制：为了控制这些这些缺陷的形成，要

12、求采用特殊的缺陷的形成，要求采用特殊的在线（在线（inline）监控技术。监控技术。1、专业词汇、专业词汇特别注意行业内的普遍认可的名称。特别注意行业内的普遍认可的名称。翻译翻译1：图：图3-20 互连接层的基本测试结构互连接层的基本测试结构 (a)迂回迂回结构结构 (b)交叉交叉结构结构翻译翻译2：图：图3-20 互连层基本测试结构互连层基本测试结构 (a)蛇状蛇状结构结构(b)双梳状双梳状结构结构2、基本语法关系、基本语法关系 分析语法关系是为了帮助正确理解内容，不分析语法关系是为了帮助正确理解内容，不能为了追求语法细节而分析语法。能为了追求语法细节而分析语法。nIn this secti

13、on we discuss the physical effects that are exploited in those semiconductor memories that can retain stored data after power supplies are disconnected, and where the stored data can be modified. n提示：该句有提示：该句有5个谓语，分析从句关系有助于理解内容。个谓语，分析从句关系有助于理解内容。n全局可翻译为：本节讨论具有下述特点的半导体存储器中全局可翻译为：本节讨论具有下述特点的半导体存储器中采用采

14、用的物理效应：这种存储器在切断的物理效应：这种存储器在切断电源电源后仍然能保留业后仍然能保留业已存储的数据，而且其中存储的数据可以被修改。已存储的数据，而且其中存储的数据可以被修改。3、结合专业内容、结合专业内容nHence carriers move away from the junctions after injection by diffusion and the action of any fields built in by variable doping. n提示：如果根据其位置关系分析，可能认为提示：如果根据其位置关系分析，可能认为“by diffusion and the a

15、ction of any fields”是修饰直接位于其前面的是修饰直接位于其前面的“injection”。但是基于物理含义分析，应该修饰。但是基于物理含义分析，应该修饰“move”。这是专业英语中经常出现的问题，即如果对物理含义不是这是专业英语中经常出现的问题，即如果对物理含义不是很清楚，在翻译时出现的错误不是语法问题，而是违背了很清楚，在翻译时出现的错误不是语法问题，而是违背了物理含义；物理含义；“by variable doping”修饰其前面的修饰其前面的“built in”。n全句可翻译为：因此，载流子在注入以后将通过扩散的方全句可翻译为：因此，载流子在注入以后将通过扩散的方式离开结

16、，如果（基区）杂质分布不均匀还会受到自建电式离开结，如果（基区）杂质分布不均匀还会受到自建电场的作用。场的作用。3、结合专业内容、结合专业内容nThe associated delay times are found by dividing the charge that must be moved by the current that moves it. n提示：根据物理含义分析，提示：根据物理含义分析，“by the current”应该是修饰应该是修饰动名词动名词dividing（表示数学运算中的（表示数学运算中的“除除”），表示），表示用用来除来除“the charge”。如果从语法角度分析，可以认。如果从语法角度分析，可以认为为“by the current”修饰直接位于其前面的修饰直接位于其前面的moved，但是，但是如果这样翻译成汉语，尽管不应该说语法错误，但是物理如果这样翻译成汉语，尽管不应该说语法错误，但是物理含义不对；句子两个含义不对；句子两个that均是引导定语从句，分别修饰各均是引导定语从句，分别修饰各自前面的名词自前面的名词charge和和current。n