科创中国路演项目征集表.docx

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1、科创中国路演项目征集表单位名称西安华合德新材料科技有限公司成立时间2019年所处行业半导体-新材料-前沿科技注册资本200万单位地址西安市莲湖区劳动南路西工大创新大厦知识产权/专利12项软著2项实用新型3项发明专利（申请中）项目所处阶段口种子期回成长期成熟期PreTPO推广诉求（根据自身情况勾选,可多选）0融资需求（融资金额：5000万左右）落地需求（意向区域：）应用场景需求（意向的行业或企业：）办公场地需求（请根据情况填写：）本次融资轮次天使0Pre-A口A轮B轮口C轮及以上融资方式0股权融资债权融资口项目融资口其他融资计划融资规模：5000万元左右释放股权：10机15%资金用途：1、购置3

2、0台长晶炉设备，约3900万2、技术研发、国际合作、市场及日常经营管理，约IooO万。企业简介企业简介：（应包括：主要产品与服务、近两年财务状况、公司发展预测，控制在200字左右）西安华合德新材料科技有限公司（以下简称“华合德”或“公司”）是一家技术水平领先，高品质大尺寸第三代半导体衬底材料研发制造商。公司主要从事宽禁带半导体衬底材料SiC晶体生长、大规模制备、研发、生产销售等，处于产业的上游材料端。公司自成立之初，一直专注于SiC晶体研发生产加工，经过持续研发投入与技术积累，公司攻克一系列SiC衬底产品生产领域的技术难点，2021年在陕西省率先成功研制出6英寸导电型SiC晶体及Ga2O3薄膜

3、。目前华合德已经掌握SiC晶体生长各个环节的核心技术，并形成规模化供应大尺寸SiC衬底晶片的技术能力，在行业内具有明显技术领先优势，可以较高成功率稳定产出6寸SiC晶体。2022年起准备逐步开展规模化量产，逐步完成从10-30-50-100台的布局，全部产线建成后将形成从“设备研制一原料合成一晶体生长一晶体切割一晶片加工一清洗检测”的全流程关键技术和工艺，打通第三代半导体材料上游端的整个产业链。公司自主掌握晶体生长、加工相关的核心技术，能够拥有较大的自主权和议价能力。目前是卖方市场，市场空间巨大，财务状况良好。项目简介项目简介（200字以内）：宽禁带半导体产业化项目由留德人员发起，联合了欧盟第

4、三代半导体实验室、西北工业大学、南京大学、东南大学、西安电子科技大学等国内外研究机构和知名专家，致力于宽禁带半导体（第三代半导体）衬底材料SiC的晶体生长、大规模制备及超宽禁带半导体材料Ga203,lN的研发生产和销售。宽禁带半导体产业化项目主要包含：1.宽禁带半导体衬底材料SiC晶体生长，这是整个产业链中最重要也是最关键的核心技术环节；2.高纯SiC粉料制备；3.SiC单晶生长炉设备制造；4.SiC晶体加工（切磨抛洗）；主营产品为6英寸导电型SiC晶片；与Si材料相比，以SiC单晶片为衬底制造的半导体器件具备高功率、耐高温、耐高压、高频、低能耗、抗辐射能力强等优点。可广泛应用于新能源汽车、光

5、伏逆变器、轨道交通、5G通讯、智能电网、白色家电、消费电子等电力电子行业，以及航空航天、军工等领域。项目负责人项目主讲人姓名、职务及研究方向（包括毕业院校，职称，履历等）：创始人：朱纳新西北工业大学材料科学与工程专业博士，高级工程师，同时拥有上海交大MBA和英国注册CFO证书。曾在德国慕尼黑大学学习；曾先后供职于航天科技集团上海航天局，夏普公司，上海优利卡，天威太阳能薄膜，南玻集团光伏，深圳锐矩，从事半导体元器件，太阳能组件，光伏逆变器等业务。朱总周游世界多国，阅历广阔，对国内外经济科技发展具有深刻洞察力，能站在哲学、政治角度看问题；熟悉技术、市场、企业营运管理，投融资管理，并具有扎实的材料科

6、学、物理学理论和实践功底。主要研究方向为：第三代半导体SiC,GaN,ALN的技术和市场。核心成员情况介绍：姓名、职务、学历、履历等主要管理团队邢辉，任首席科学家（长晶/热场方向），西北工业大学凝聚态物理专业博士,美国爱荷华大学材料学博士,西北工业大学理学院应用物理系副教授，目前依托于空间应用物理与化学教育部重点实验室及陕西省凝聚态结构与性质重点实验室开展研究工作。负责晶体生长动力学及热场分析和模拟。孙东科，任首席科学家（仿真模拟方向），联合实验室轮值主任，东南大学材料系博士；美国普度大学访问学者；长期从事晶体生长研究。李健，副总经理，上海交大MBA,本科自动控制，自控设备专家。曾任西北有色金属研究院开发处处长等职；德国蒂森克虏伯VDM公司中国代表处工业技术经理，负责工厂设备技术管理，质量管理体系，设备优化。联系方式联系人王爽职务项目经理E-mail手机