TiO2光催化文献综述.docx
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1、ZnO/Tio2复合纳米纤维的制备及光催化性能研究文献综述1 .前言20世纪以来,科技的不断进步和工业的快速开展,在给人类带来舒适与便利的同时,也造成了环境的污染与恶化,给人类的健康和生活带来了潜在的危胁.1-3在各种环境污染中,最普遍、最主要和影响最大的是化学污染.因而,有效地限制和治理各种化学污染物对构成人类生存最根本的水资源、土壤和大气环境的破坏是环境综合治理中的重点.多年来人们一直在寻找和尝试治理环境污染的办法,比方物理法、化学法和生物处理法等46,但是都存在着不少缺陷.因此,研究开发新型的化学污染处理方法有非常重要的意义.光催化是纳米半导体的独特性能之一.纳米半导体材料在光的照射下,
2、通过有效吸收光能产生具有超强氧化水平和复原水平的光生电子和空穴,促进化合物的合成或使化合物(有机物,无机物)降解的过程称之为光催化7.1972年,Fujishima和Honda首先发表了用丁必作为光催化剂分解制氢的论文,这标志着光催化时代的开始,当时正值能源危机,因此利用光催化剂和太阳能制备氢气对缓解能源危机具有重大的意义,引起了科研学者的广泛关注,随后更多关于光催化的研究深入开展了对光催化机理的探索.在1977年,Frank和Bard等9用Tio2作为光催化剂将水中的氟化物分解,氧化CN-为OCNr为光催化剂处理污水的发展提供了有力依据.这些重大的研究也为如今催化剂在环境净化和新能源利用开发
3、方向的研究奠定了根底.Ti2以其无毒、催化活性高、稳定性好和价格低廉等优点,被公认为优良的半导体光催化剂.纳米Tio2的光生空穴的强氧化水平,使得生物难降解的有机污染物的完全矿物化氧化成为可能.大量研究说明,绝大部分有机物均能被TiO2光催化氧化而降解.此外许多无机化合物或无机离子也能在Ti2外表与光生电子反响被光催化生成毒性较小或无毒的产物.因而在大气净化、抗菌、净水、防污、防臭方面有着广阔的应用前景.2 .TiOz光催化原理Tio2作为半导体材料,其能带是不连续的,价带和导带之间存在一个禁带,其禁带宽度(带隙能,Eg)为数个电子伏特.当用光子能量大于或等于禁带宽度的光照射半导体材料时,其价
4、电子被激发,越过禁带进入导带,同时在价带上形成相应的空穴,即产生所谓电子-空穴对.在光催化的过程中,空穴具有极强的获取电子的水平(Tio2价带上空穴氧化复原电位为+2.7eV),能将水中的OH-和H2分子转化为氧化水平和反响活性极强的羟基自由基OH,而吸附口.2外表的物质或溶剂中的游离氧那么俘获电子形成。2等活性极强的自由基,这些自由基都具有有很强的化学活性,能与各种无机、有机污染物反响,生成无毒、无害的CO2、H?O和无机物等.其反响机理可以用以下方程式口0表示:i2.hVTe.+h*h+H201Phh+h+OH-OHTO2O2h+HO2+H+2,J,02+23Ti2光催化影响因素2TiCh
5、光催化的影响因素主要有:1 .晶体结构.TiO2光催化剂的晶型结构影响光催化反响反响速率.在两种主要晶相结构中,金红石和锐钛矿虽都属于正交晶系,但两者的Ti01面体的扭曲程度不一样.金红石型结构较为致密稳定;锐钛矿相晶格中含有较多的缺陷和位错,能产生更多的氧空位来捕获电子,致使光生电子和空穴较容易别离,具有较高的活性和更多的活性表面.所以锐钛矿型Tio2的光催化活性优于金红石型TiO2;随着环境稳定的升高,锐钛型TiO2会逐渐向金红石型转变,在IoO(TC不可逆转地转化成金红石型.2 .粒径Ti2的粒径越小,比外表积越大,其光催化效率越高Ti2的投加量与反响速率的关系是:开始反响速率随着催化剂
6、用量的增加而迅速上升,在投加量过大时,反响速率反而减小.这是由于Tie)2是不溶性物质,参加量过多,会阻挡紫外光的透射深度,使光催化效果下降17.3 .光强.TiCh光催化反响必须在光照下进行,并且主要对紫外光响应,但是光强过大并不利于反响的进行.研究说明17,在相当大的光强下,光量子效率反而较差,由于此时存在中间氧化物在催化剂外表的竞争性复合Ti2的吸收边缘在350nm,一般在实验中采用高压汞灯.太阳光在紫外区也有一定的辐射能量,实验说明17,许多化合物可被太阳光催化分解,这一结果为大规模应用Ti2光催化技术提供了可行性.4 .PH值.pH值的变化会影响TiO2的外表电荷,从而影响反响物在T
7、iO2外表的吸附以及Ti2的分散程度,最终影响光催化反响的速率.研究发现17,pH值的变化对不同反响物的光催化反响的影响也有所不同,并且影响程度与其它因素如光强等有关.5 TiO2光催化改性2由于TiO2是宽禁带半导体,只能吸收太阳光中的紫外线局部,对太阳光的利用率只有6%左右,光生电子-空穴易复合,光量子效率低等在一定程度上限制了寸.2的实际应用.因此对纳米Tio2材料进行改性,拓宽其光谱吸收范围,提升其光量子效率成为目前的研究热点.目前改性的方法主要有:离子掺杂、光敏化、贵金属沉积、半导体复合.半导体复合主要是利用半导体导带或价带位置不同进行半导体复合,使光生电子或空穴从一个半导体迁移到另
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