模电专升本复习.ppt
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1、一一. . 杂质半导体杂质半导体 1. 1. 型半导体型半导体 在本征半导体中, 掺入微量价元素( 如磷,锑、砷等)-型半导体。自由电子自由电子为多子多子;空穴空穴为少子少子。 图 5- 4 N型半导体共价键结构第第5章章 二极管和三极管二极管和三极管2. P2. P型半导体型半导体 在本征半导体中, 掺入微量价元素( 如硼、镓、铟等)图 5 5 P型半导体的共价键结构P型半导体-空穴空穴为多子多子; 自由电子自由电子为少子少子。2. 结的单向导电特性 1 1). . 结外加正向电压外加正向电压电源:正极接区, 负极接区-正向接法或正向偏置。形成正向电流, 其方向由电源正极通过区、区到达电源负
2、极。 2)结外加反向电压外加反向电压电源:正极接区, 负极接区-反向接法或反向偏置。反向电流很小,近似为0。 结处于截止状态,其阻值很大. 综上所述: 结加正向电压, 处于导通状态;加反向电压, 处于截止状态, 即结具有单向导电特性。 图 5-8 PN结单向导电特性 onU3 3)结的击穿)结的击穿 . 三极管的结构图5-27 半导体三极管的符号52 半导体三极管半导体三极管二。三极管的电流放大作用:三. 半导体三极管的伏安特性(1)输入特性常数CEUBEBufi)(常用VUCE1的曲线表示 .(2)输出特性常数BICECufi)( 输出特性分三个区域,表示三种不同的工作状态工作状态。 0BI
3、)0CEOCIi截止区截止区(状态):处于曲线以下的区域(即发射结反偏,集电结反偏。 对三极管, , BC 放大区放大区(状态):即发射结正偏,集电结反偏。此时0Bi且BCii当IB不同时,得到一簇相互平行的曲线,不随CEu改变,为线性区线性区。 对于三极管, 工作在放大区时.V, 而。 饱和区饱和区(状态):即发射结正偏,集电结正偏。此时0Bi,但BCii表明b极电流失去了对c极电流的控制作用。对NPN三极管, (2)极限参数 为使三极管安全工作,对它的工作电压、电流和功率损耗将受到限制,正常工作应在的安全工作区安全工作区域 常数CCECMiuP五PNP与NPN型三极管的比较图5-24 三极
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