晶振电路的设计.docx
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1、晶振电路的设计1、推荐的晶振振荡器电路图L晶振振荡器设计电路图示中,没在红方框之内部分电路一般都被集成在芯片(如STM3210xxx)内部。若电阻部分没有被集成在芯片内部,则需要考虑将电阻部分参加。Rf的值在500KQ2Mo图示的Cl,C2就是为晶振工作在并联谐振状态下得到加载电容CL的电容。关于最优的加载电容CL的计算公式为:其中CS是来自板子的干扰电容值,5pf可以作为一个典型值被带入以上公式中计算。2、防止晶振振荡器的不稳定与启振问题选择合适的Cl和C2的值就能够满足以上与CL的方程(整体的思路见3)o通常需要Cl和C2的值近似相等。Cl和/或C2的值较大时能够增加频率的稳定性,但会减少
2、回路增益并且可能会引起整个晶振振荡器的起振问题。Rl的主要被用来限制反相器(inverter)的输出,以保证晶振不被过分驱动。Rl和Cl构成划分电压电路,Cl和Rl的取值要尽量使反相器的输出靠近轨到轨(指器件的输入输出电压范围可以到达电源电压)且使晶振的输入要到达轨到轨的60%,通常的实践是是RI的电阻与CI的容抗相等,如Rl约等于XC1。这使晶振的输入是反相器输出的一半。通常需要确保晶振分得的电压要在晶振所能承受的范围之内,过分的驱动晶振会损害晶振。使用晶振是要参考制造商的推荐。理想状况下,反相器会产生180的相位偏移,但反相器固有的延迟会导致一个与这种延迟成某种比例的额外的的一个相位偏移。
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