高电压技术知识点总结精品.docx
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1、为什么要有高电压:提高输送容量,降低线路损耗,削减工程投资,提高单位走廊输电实力,节约走廊面积,改善电网结构,降低短路电流,加强联网实力。电介质:在其中可建立稳定电场而几乎没有电流通过的物质。 极化:在外电场作用下,电介质内部产生宏观不为零的电偶极矩。 电介质极化的四种基本类型:电子位移极化,离子位移极化,转向极化,空间电荷极化。 介电常数:用来衡量绝缘体储存电能的实力,代表电介质的极化程度(对电荷的束缚实力)液体电介质的相对介电常数影响因素(频率):频率较低时,偶极分子来得与跟随电场交变转向,介电常数较大,接近直流状况下的山频率超过临界值,偶极分子转向跟不上电场的变更,介电常数起先减小,介电
2、常数最终接近于仅由电子位移极化引起的介电常数Zo电介质的电导与金属的电导有本质上的区分:金属电导是由金属中固有存在的自由电子造成的。电介质的电导是带电质点在电场作用下移动造成的。气体:由电离出来的自由电子、正离子和负离子在电场作用下移动而造成的。液体:分子发生化学分解形成的带点质点沿电场方向移动而造成的。固体:分子发生热离解形成的带电质点沿电场方向移动而造成的。介质损耗:在电场作用下,电介质由于电导引起的损耗和有损极化损耗,总称为介质损耗。 电介质的等效电路:电容支路:由真空和无损极化所引起的电流为纯容性。/阻容支路:由有损极化所引起的电流分为有功和容性无功两部分。/纯阻支路:由漏导引起的电流
3、,为纯阻性的。 介质损耗因数tg8的意义:若tg6过大会引起严峻发热,使材料劣化,甚至可能导致热击穿。/用于冲击测量的连接电缆,要求tg必需小,否则会影响到测量精度/用做绝缘材料的介质,希望tg.在其他场合,可利用tg引起的介质发热,如电瓷泥胚的阴干/在绝缘试验中,tg6的测量是一项基本测量项目 激励:电子从近轨道向远轨道跃迁时,须要肯定能量,这个过程叫激励。 电离:当外界赐予的能量很大时,电子可以跳出原子轨道成为自由电子。原来的中性原子变成一个自由电子和一个带正电荷的离子,这个过程叫电离。 反激励:电子从远轨道向近轨道跃迁时,原子放射单色光的过程称为反激励。 平均自由程:一个质点两次碰撞之间
4、的平均距离,其与密度呈反比。 电离形式:撞击电离,光电离,热电离,表面电离。气体带电质点的消逝:中和(发生在电极处):带电质点在电场力的作用下,宏观上沿电场做定向运动。带电质点受电场力作用而流入电极,中和电量。/扩散:扩散指质点从浓度较大的区域扩散到浓度较小的的区域,从而使带电质点在空间各处浓度趋于平均的过程。/复合(发生在内部):带有异号电荷质点相遇,还原为中性质点的过程称为复合。 电子崩:当外加电场强度足够大时,带电粒子两次碰撞间积聚的动能足够发生碰撞电离。电离出来的电子和离子在场强作用下又加入新的撞击电离,电离过程像雪崩一样增长起来,称为电子崩。 自持放电:当外加场强足够强大时,电子崩不
5、依靠外界因素,外界因素消逝后,电子崩仍能够保持。 放电形式:辉光放电,电晕放电,刷状放电,火花击穿,电弧击穿。 汤森德气体放电理论的三个影响因素:系数:1个自由电子在走到阳极的ICn1.路程中撞击电离产生的平均自由电子。/系数B:1个正离子在走到阴极的ICm路程中撞击电离产生的平均自由电子。/系数Y:1个正离子撞击阴极表面,逸出的平均自由电子数。流注:由初崩辐射出的光子,在崩头、崩尾外围空间局部强场中衍生出二次电子崩并汇合到主崩通道中来,使主崩通道不断高速向前、后延长的过程称为流注。流注的形成:电子崩头部接近阳极;崩头和崩尾处电场增加,激励和反激励放射出大量光子,崩中复合也放射出光子;一些光子
6、射到崩尾,造成空间光电离,形成衍生电子崩;衍生电子崩头部移动速度快,与主崩汇合;新的衍生电子崩在崩尾出现,一个一个向阴极发展,形成正流注。电晕:在极不匀称的电场中,当外加电压与平均场强还较低时,电极曲率半径较小处,旁边空间的局部场强已很大。在这局部场强处,产生猛烈的电离,伴随着电离而存在复合和反激励,辐射出大量光子,使在黑暗中可以看到在该电极旁边空间有蓝色的晕光,称为电晕。电晕的极性效应:对于电极形态不对称的极不匀称电场间隙,间隙的起晕电压和击穿电压各不相同,称为极性效应。电晕的效应:有声、色、热等效应,表现为发出“噬唾”的声音,蓝色的晕光以与使四周气体温度上升等。I产生人可听到的噪声,对人生
7、理、心理产生影响。I形成“电风”导致电力设备的振动和摇摆。I产生高频脉冲电流,对无线电干扰。I产生能量损耗。产生某些化学反映,加速绝缘老化。雷电放电过程:先导放电,主放电(猛烈电离,猛烈中和,主放电通道向上延长,径向放电),余光放电。雷电的破坏因素:最大电流、电流增长最大陡度、余光电流热效应。气隙沿面放电:沿气体与固体(或液体)介质的分界面发展的放电现象。闪络:沿面放电发展到贯穿两级,使整个气隙沿面击穿的现象。气隙的击穿时间:升压时间to,统计时延ts,放电发展时间tf。伏秒特性:气隙的击穿电压要用电压峰值和持续时间二者共同表示,这就是该气隙在电压波形下的伏秒特性。 气隙的电气强度影响因素:气
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