半导体三极管及其放大电路试题.docx
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1、半导体三极管及其放大电路试题一、选择题1 .晶体管能够放大的外部条件是a发射结正偏,集电结正偏b发射结反偏,集电结反偏C发射结正偏,集电结反偏答案:C2 .当晶体管工作于饱和状态时,其a发射结正偏,集电结正偏b发射结反偏,集电结反偏C发射结正偏,集电结反偏答案:a3 .对于硅晶体管来说其死区电压约为a0lV正确答窠)b0.5VcO.7V答案:b4 .铭晶体管的导通压降约IUBEl为a0.1V(正确答案)bO.3VcO.5V5 .测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA,3.66mA和3.6mAO则该管的为a40b50c606 .反向饱和电流越小,晶体管的稳定性能a越好(b越差C无变化答案
2、7 .与错晶体管相比,硅晶体管的温度稳定性能a!tt(正确答案)b低C一样答案:a8 .温度升高,晶体管的电流放大系数a增大b减小c不变9 .温度升高,晶体管的管压降IUBEla升高(b降低C不变答案:b10 .对PNP型晶体管来说,当其工作于放大状态时,极的电位最低。a发射极(I1b基极c集电极11 .温度升高,晶体管输入特性曲线a右移b左移c不变12 .温度升高,晶体管输出特性曲线a上移b下移c不变13 .温度升高,晶体管输出特性曲线间隔a不变b减小C增大14 .晶体管共射极电流放大系数与集电极电流IC的关系是a两者无关(b有关C无法判断答案:a15 .当晶体管的集电极电流ICmIc时,下
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- 半导体 三极管 及其 放大 电路 试题
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