半导体光电子学课件下集5.3半导体激光器的远场特性7.ppt
《半导体光电子学课件下集5.3半导体激光器的远场特性7.ppt》由会员分享,可在线阅读,更多相关《半导体光电子学课件下集5.3半导体激光器的远场特性7.ppt(7页珍藏版)》请在第壹文秘上搜索。
5.3 半导体激光器的远场特性 近场分布:解理面上的光路分布 远场分布:距输出腔面一定距离v目的:耦合、存储v问题:很大3050 ,1020v原因:LD有源区横截面不对称和很小的线度/一.垂直于结平面的发散角d一般情况:当d较小时在输出端面z=0处的光场 为衰减常数 (x方向上)2220222)sin(|)(|)(kEI半强度点对应的光束发散角(半角)全角由02121)12(22k2)(202122dknn dknn202122)(0.421)()(21II02121)12(sink2020212202021222.1)(0.41)(05.4dknndknnddnn0021222.1)(05.4当d很小当d较厚v讨论:当d很小:d 光扩展出有源层 当d较厚:d 衍射角 二.平行于结平面方向上的发射角/(弧度)w较宽 10/三.波导结构对远场的影响1.折射率差 2.有源层厚度3.增益波导LD 远场不平滑对称4.折射率波导LD 对称性好 在激光器两端采用锥形有源层结构 窄光束发射角、低阈值电流10圆光斑)(3LDT
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 半导体 光电子 课件 下集 5.3 半导体激光器 特性