金属腐蚀与防护7金属的高温氧化.ppt
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1、 金属的高温氧化是指金属在高温气相环境中和氧或含氧物质(如水蒸汽、CO2、SO2等)发生化学反应,转变为金属氧化物。这里所谓“高温”,是指气相介质是干燥的,金属表面上不存在水膜,因此又称为干腐蚀。在大多数情况下,金属高温氧化生成的氧化物是固态,只有少数是气态或液态。本章中我们局限在金属和气相环境中的氧作用而发生的高温氧化,反应产物是固态氧化物。高温氧化的热力学问题 n高温氧化倾向的判断 自由焓准则 将金属高温氧化反应方程式写成 2Me+O2=2MeO 当G 0,金属不可能发生氧化;反应向逆方向进行,氧化物分解。自由焓变化G的计算公式是 氧化物分解压当PO2 pMeO,G 0,金属能够发生氧化,
2、二者差值愈大,氧化反应倾向愈大。当PO2=pMeO,G=0,反应达到平衡。当PO2 pMeO,G t0)增量(2米厘/毫克)1。0 0。8 0。6 0。4 0。2 0 0。5 1 1。5 2。0时间(小时)500摄氏度时铜的氧化曲线,虚线表示假想膜没有机械性破坏情况下的抛物线。(根据Evans)300 250 200 150 100 50膜厚(微米)1 10 20时间(分)-3 -2 -1 0 1 2Lg时间(分)实线:直角坐标 虚线:半对数坐标铁在空气中氧化的对数规律305摄氏度252摄氏度 厚膜成长规律的简单推导(自学)n氧化与温度的关系温度是金属高温氧化的一个重要因素。在温度恒定时,金属
3、的氧化服从一定的动力学公式,从中反映出氧化过程的机构和控制因素。除直线规律外,氧化速度随试验时间延长而下降,表明氧化膜形成后对金属起到了保护作用。3 高温氧化理论简介 n氧化膜的半导体性质氧化物具有晶体结构,而且大多数金属氧化物是非当量化合的。因此,氧化物晶体中存在缺陷,晶体中有过剩金属的离子或过剩氧阴离子;为保持电中性,还有数目相当的自由电子或电子空位。这样,金属氧化物膜不仅有离子导电性,而且有电子导电性。即氧化膜具有半导体性质。两类氧化膜(1)金属过剩型,如ZnO 氧化膜的缺陷为间隙锌离子和自由电子。膜的导电性主要靠自由电子,故ZnO称为n型办导体(电子带负电荷)。Zni2+2ei+1/2
4、O2=ZnO 金属过剩型(n型)氧化物的缺陷也可能是氧阴离子空位和自由电子,如Al2O3、Fe2O3。eeZn2+加入Al3+的影响eeeeeeZn2+金属高温氧化说明氧化物金属氧化影响的示意图 Zn2+O2-Zn2+O2-Zn2+O2-O2-Zn2+O2-Zn2+O2-Zn2+Zn2+O2-Zn2+O2-Zn2+O2-O2-Zn2+O2-Zn2+O2-Zn2+eeZn2+Zno:金属过剩型半导体Zn2+O2-Li+O2-Zn2+O2-O2-Zn2+O2-Zn2+O2-Zn2+Li+O2-Zn2+O2-Li+O2-O2-Zn2+O2-Zn2+O2-Zn2+加入Li+的影响Zn2+O2-Al3+
5、O2-Zn2+O2-O2-Zn2+O2-Zn2+O2-Zn2+Al3+O2-Zn2+O2-Al3+O2-O2-Zn2+O2-Zn2+O2-Zn2+eeZn2+Zn2+Zn2+(2)金属不足型,如NiO 由于存在过剩的氧,在生成NiO的过程中产生镍阳离子空位,分别用符号和e表示。电子空位又叫正孔,带正电荷,可以相象为Ni3+。氧化膜导电性主要靠电子空位,故称为p型办导体。1/2O2=NiO+Ni2+e因为电子迁移比离子迁移快得多,故不管是n型还是p型氧化膜,离子迁移都是氧化速度的控制因素。金属高温氧化说明Hauffe原子价 定律的 Ni3+O2-Ni2+O2-O2-O2-Ni2+O2-Ni3+O
6、2-Ni2+O2-Ni2+O2-Ni2+O2-O2-Ni3+O2-Ni2+O2-Ni3+Nio:金属不足型半导体Ni3+O2-Li+O2-O2-O2-Ni2+O2-Ni3+O2-Ni3+Ni2+O2-Li+O2-Ni2+O2-O2-Ni3+O2-Li+O2-Ni3+加入Li+的影响Cr3+O2-Ni2+O2-O2-O2-Ni2+O2-Ni3+O2-Cr3+O2-Cr3+O2-Ni22+O2-O2-Ni3+O2-O2-Ni3+加入Cr3+的影响 合金元素的影响(1)形成n型氧化膜的金属(如Zn)当加入低价金属(如Li),e减少使膜的导电性降低,增多使氧化速度增大。加入高价金属(如Al),则自由电
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