第05章光电子发射探测器.ppt
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1、p0eIMhv 光子探测器光子探测器M光电增益输出光电流光电导探测器:光电导探测器:M可以大于可以大于1光电三极管:光电三极管:M102雪崩光电二极管:雪崩光电二极管:M103?M106第第0505章章 光电子发射探测器光电子发射探测器Photoemissive detector,简称简称PE探测器探测器光光 电电 管:管:光电倍增管:光电倍增管:被半导体光电器件取代被半导体光电器件取代 极高灵敏度极高灵敏度 10106 6 快速响应快速响应 pSpS应应 用:用:微弱光信号、快速脉冲弱光信号微弱光信号、快速脉冲弱光信号也称为真空光电器件 第第0505章章 光电子发射探测器光电子发射探测器5.
2、1 5.1 光电阴极光电阴极5.2 5.2 光电管和光电倍增管结构原理光电管和光电倍增管结构原理5.3 5.3 光电倍增管的主要特性参数光电倍增管的主要特性参数5.4 5.4 光电倍增管的工作电路光电倍增管的工作电路5.1 5.1 光电阴极光电阴极具有外光电效应的材料具有外光电效应的材料 光电子发射体光电子发射体光电子发射探测器中的光电子发射体光电子发射探测器中的光电子发射体 又称为又称为光电阴极光电阴极 光电阴极光电阴极是完成光电转换的重要部件,其性能是完成光电转换的重要部件,其性能好坏直接影响整个光电发射器件的性能!好坏直接影响整个光电发射器件的性能!常用的光电阴极材料常用的光电阴极材料反
3、射系数大、吸收系反射系数大、吸收系数小、碰撞损失能量数小、碰撞损失能量大、逸出功大适大、逸出功大适应对紫外灵敏的光电应对紫外灵敏的光电探测器。探测器。光吸收系数大得多,散光吸收系数大得多,散射能量损失小,量子效射能量损失小,量子效率比金属大得多光率比金属大得多光谱响应:可见光和近红谱响应:可见光和近红外波段。外波段。金属:金属:半导体:半导体:5.1 5.1 光电阴极光电阴极0AE0AE常规光电阴极常规光电阴极负电子亲和势阴极负电子亲和势阴极 半导体材料广泛用作光电阴极半导体材料广泛用作光电阴极 1 1、常规光电阴极、常规光电阴极(1)AgOCs材料:材料:(2)单碱锑化物:)单碱锑化物:(3
4、)多碱锑化物:)多碱锑化物:(4)紫外光电阴极:)紫外光电阴极:最早的光电阴极最早的光电阴极表表51 主要应用于近红外探测主要应用于近红外探测 CsSb阴极最为常用阴极最为常用表表51 紫外和可见光区的灵敏度最高紫外和可见光区的灵敏度最高 SbNaKCs 最实用的光电阴极材料,高灵敏度、最实用的光电阴极材料,高灵敏度、宽光谱,红外端延伸宽光谱,红外端延伸930nm,用于宽带光谱测量仪,用于宽带光谱测量仪5.1 5.1 光电阴极光电阴极1 1、常规光电阴极、常规光电阴极4紫外光电阴极紫外光电阴极 光电阴极只对所探测的紫外辐射信号灵敏,光电阴极只对所探测的紫外辐射信号灵敏,而对可见光无响应,这种阴
5、极通常称为而对可见光无响应,这种阴极通常称为“日盲日盲”型光电阴极型光电阴极。“日盲日盲”型光电阴极型光电阴极实用的两种:实用的两种:碲化铯碲化铯(CsTe)长波限为长波限为0.32m碘化铯碘化铯(Csl)长波限为长波限为0.2 m。响应范围响应范围(100280nm)5.1 5.1 光电阴极光电阴极2.2.负电子亲和势阴极负电子亲和势阴极Negative Electron Affinity,简称,简称NEA 5.1 5.1 光电阴极光电阴极电子亲和势电子亲和势EA 真空能级与导带真空能级与导带底底能级之差称为电子亲和势能级之差称为电子亲和势 电子亲和势越小,材电子亲和势越小,材料发射光电子的
6、能力料发射光电子的能力越强。越强。真空能级低于真空能级低于导带导带底底能级?能级?2.2.负电子亲和势阴极负电子亲和势阴极Negative Electron Affinity,简称,简称NEA 5.1 5.1 光电阴极光电阴极电子亲和势电子亲和势EA 真空能级与导带真空能级与导带底底能级之差称为电子亲和势能级之差称为电子亲和势 负负电子亲和势电子亲和势真空能级低于真空能级低于导带导带底底能级能级发射光电子的能力发射光电子的能力更强更强2.2.负电子亲和势阴极负电子亲和势阴极Negative Electron Affinity,简称,简称NEA 5.1 5.1 光电阴极光电阴极1963年年 Si
7、mon提出了提出了负电子亲和势负电子亲和势(NEA)理论)理论 1965年年J.J.sheer和和J.V.laar 用铯激活砷化镓得到用铯激活砷化镓得到零电子亲和势零电子亲和势光电阴极;光电阴极;研制出研制出GaAs-Cs负电子亲和势负电子亲和势光电阴极光电阴极负电子亲和势材料结构、原理负电子亲和势材料结构、原理重掺杂的重掺杂的P型型硅表硅表面涂面涂极薄极薄的金属的金属Cs,经过处理形成经过处理形成N型型的的Cs2O。2.2.负电子亲和势阴极负电子亲和势阴极以以Si-Cs2O光电阴极为例光电阴极为例2.2.负电子亲和势阴极负电子亲和势阴极P型型Si的的电子亲和势电子亲和势:N型型Cs2O电子亲
8、和势电子亲和势:EA1=E0-EC10EA2=E0-EC20体内:体内:P型型表面:表面:N型型表面表面电子,电子,能级能级Ec1入射光子入射光子体内体内电子,能级电子,能级Ec1表面逸出电子表面逸出电子E0-Ec1 0体内体内有效有效电子亲和势电子亲和势:EAe=E0-EC10EA2=E0-EC20EAe=E0-EC115.3 光电倍增管的主要特性参数光电倍增管的主要特性参数电流增益的稳定性:电流增益的稳定性:nIIM0KAkdUCknnkUAnUCM10UUknMMdd例如,例如,n912,测量精度,测量精度1%电源电压稳定度电源电压稳定度0.1%。5.3 光电倍增管的主要特性参数光电倍增
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