第3章修改.ppt
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1、第第 3 3 章章 存储器及其组成设计存储器及其组成设计在现代计算机中在现代计算机中,存储器处于全机中心地位存储器处于全机中心地位3.1 概述概述存储器存储器运算器运算器控制器控制器输入输入输出输出复习:存储器各个概念之间的关系复习:存储器各个概念之间的关系单元地址单元地址00000001.XXXX存储单元存储单元存储元存储元存储体存储体1.1.存储容量存储容量(Memory Capacity)H 存储容量指存储器可以存储的二进制信息量。存储容量指存储器可以存储的二进制信息量。存储容量存储容量=字数字数字长字长如:一个存储器能存储如:一个存储器能存储1024个字,字长个字,字长8位,则存储器容
2、量可位,则存储器容量可用用 1024 8表示表示H 微机中的存储器一般都是以字节(微机中的存储器一般都是以字节(8 8位)进行位)进行编址,即总是认为一个字节是编址,即总是认为一个字节是“基本基本”的字长。的字长。常用常用B B表示表示 H 存储单元数一般用存储单元数一般用K K、M M、G G、T T表示表示 1K=10241K=1024 1M=1024K=1024 1M=1024K=1024*10241024 1G=1024M 1G=1024M 1T=1024G 1T=1024G 10000101一一.计算机系统存储器的主要性能指标计算机系统存储器的主要性能指标 2.存取时间存取时间(Me
3、mory Access Time)定义为访问一次存储器(对指定单元写入或读出)所需要定义为访问一次存储器(对指定单元写入或读出)所需要的时间,一般用的时间,一般用ns表示,如表示,如55ns/65ns/120ns等。等。3功耗功耗 工作电流和待机电流工作电流和待机电流 4工作电压工作电压 5V、3.3V、1.8V 5.工作温度工作温度 商用级(商用级(0+70C)、工业级()、工业级(-40C+85C)、军)、军用级(用级(-55C+125C)二二.存储器分类存储器分类:1.按存储介质分按存储介质分 半导体存储器半导体存储器:用半导体器件组成的存储器。:用半导体器件组成的存储器。磁表面存储器:
4、磁表面存储器:用磁性材料做成的存储器。用磁性材料做成的存储器。2.按存储方式分按存储方式分 随机存储器随机存储器:任何存储单元的内容都能被随机存取,且存取:任何存储单元的内容都能被随机存取,且存取 时间和存储单元的物理位置无关。时间和存储单元的物理位置无关。顺序存储器:顺序存储器:只能按某种顺序来存取,存取时间和存储单元只能按某种顺序来存取,存取时间和存储单元 的物理位置有关。的物理位置有关。3.按存储器的读写功能分按存储器的读写功能分 只读存储器只读存储器(ROM):存储的内容是固定不变的,只能读出而:存储的内容是固定不变的,只能读出而 不能写入的半导体存储器。不能写入的半导体存储器。随机读
5、写存储器随机读写存储器(RAM):既能读出又能写入的半导体存储器。:既能读出又能写入的半导体存储器。4.按信息的可保存性分按信息的可保存性分 非永久记忆的存储器非永久记忆的存储器:断电后信息即消失的存储器。:断电后信息即消失的存储器。永久记忆性存储器:永久记忆性存储器:断电后仍能保存信息的存储器。断电后仍能保存信息的存储器。5.按在计算机系统中的作用分按在计算机系统中的作用分 根据存储器在计算机系统中所起的作用,可分为根据存储器在计算机系统中所起的作用,可分为:主存储器主存储器、辅助存储器辅助存储器、高速缓冲存储器高速缓冲存储器、控制存储器控制存储器等。等。半半导导体体存存储储器器 只读只读
6、存储器存储器 ROM 随机读写随机读写存储器存储器RAM 掩膜掩膜ROM 可编程可编程ROM(PROM )可擦除可擦除ROM(EPROM )电擦除电擦除ROM(E2PROM )静态静态RAM(SRAM )动态动态RAM(DRAM )半导体存储器半导体存储器H 内存条内存条:由于动态由于动态RAMRAM集成度高,价格较便宜,在微机系统集成度高,价格较便宜,在微机系统中使用的动态中使用的动态RAMRAM组装在一个条状的印刷板上。系统配有组装在一个条状的印刷板上。系统配有动态动态RAMRAM刷新控制电路,不断对所存信息进行刷新控制电路,不断对所存信息进行“再生再生”。1.RAM 1.RAM:随机存储
7、器随机存储器,是是“内存内存”的重要组成部分,的重要组成部分,CPUCPU执执行指令可对其进行行指令可对其进行“读读”、“写写”操作。操作。H静态静态RAMRAM:集成度低,信息稳定,读写速度快。:集成度低,信息稳定,读写速度快。H动态动态RAMRAM:集成度高,容量大,缺点是信息存储不稳定,:集成度高,容量大,缺点是信息存储不稳定,只能保持几个毫秒,为此要不断进行只能保持几个毫秒,为此要不断进行“信息再生信息再生”,即,即进行进行 “刷新刷新”操作。操作。SRAM内存条内存条2.ROM:只读存储器,只读存储器,所存信息只能读出所存信息只能读出,不能写入。不能写入。缺点缺点不能重写不能重写只能
8、一次只能一次性改写性改写只读存储器只读存储器 掩模式掩模式 (ROM)一次编程一次编程(PROM)多次编程多次编程(EPROM)(EEPROM)定义定义数据在芯片制造过程数据在芯片制造过程中就确定中就确定 用户可自行改变产品用户可自行改变产品中某些存储元中某些存储元 可以用紫外光照可以用紫外光照 射射或电擦除原来的数据,或电擦除原来的数据,然后再重新写入新的数然后再重新写入新的数据据优点优点 可靠性和集成度可靠性和集成度高,价格便宜高,价格便宜 可以根据用户需要可以根据用户需要编程编程 可以多次改写可以多次改写ROM中的内容中的内容快闪存储器快闪存储器Flash memoryEPROM4.高速
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