第5章光电倍增管.ppt
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1、p0eIMhv 光子探测器光子探测器M光电增益输出光电流光电导探测器:光电导探测器:M可以大于可以大于1光电三极管:光电三极管:M102雪崩光电二极管:雪崩光电二极管:M103?M106Photoemissive detector,简称简称PE探测器探测器也称为真空光电器件 光光 电电 管:管:光电倍增管:光电倍增管:被半导体光电器件取代被半导体光电器件取代 极高灵敏度极高灵敏度 10106 6 快速响应快速响应 pSpS应应 用:用:微弱光信号、快速脉冲弱光信号微弱光信号、快速脉冲弱光信号也称为真空光电器件 Photoemissive detector,简称简称PE探测器探测器缺点:结构复杂
2、缺点:结构复杂 工作电压高工作电压高 体积庞大体积庞大优点:灵敏度高优点:灵敏度高 稳定性好稳定性好 响应速度快响应速度快 噪声小噪声小具有外光电效应的材料具有外光电效应的材料 光电子发射体光电子发射体光电子发射探测器中的光电子发射体光电子发射探测器中的光电子发射体 又称为光电阴极又称为光电阴极 光电阴极光电阴极是完成光电转换的重要部件,其性能是完成光电转换的重要部件,其性能好坏直接影响整个光电发射器件的性能!好坏直接影响整个光电发射器件的性能!5.1 5.1 光电阴极光电阴极5.2 5.2 光电管和光电倍增管结构原理光电管和光电倍增管结构原理5.3 5.3 光电倍增管的主要特性参数光电倍增管
3、的主要特性参数5.4 5.4 光电倍增管的工作电路光电倍增管的工作电路良好的光电发射材料具备的条件:良好的光电发射材料具备的条件:a 光的吸收系数大光的吸收系数大b 光电子在体内传输过程中受到的能量损失小光电子在体内传输过程中受到的能量损失小c 表面势垒低,表面逸出几率大表面势垒低,表面逸出几率大反射系数大、吸收系反射系数大、吸收系数小、碰撞损失能量数小、碰撞损失能量大、逸出功大适大、逸出功大适应对紫外灵敏的光电应对紫外灵敏的光电探测器。探测器。光吸收系数大得多,散光吸收系数大得多,散射能量损失小,量子效射能量损失小,量子效率比金属大得多光率比金属大得多光谱响应:可见光和近红谱响应:可见光和近
4、红外波段。外波段。金属:金属:半导体:半导体:0AE0AE常规光电阴极常规光电阴极负电子亲和势阴极负电子亲和势阴极 半导体材料广泛用作光电阴极半导体材料广泛用作光电阴极 (1)、银氧铯)、银氧铯(Ag-O-Cs)光电阴极光电阴极峰值波长:峰值波长:350nm,800nm光谱响应范围约光谱响应范围约300-1000nm300-1000nm;量子效率约量子效率约0.50.5;使用温度使用温度100100C C;暗电流大。暗电流大。最早的光电阴极,主要应用于近红外探测最早的光电阴极,主要应用于近红外探测(2)单碱锑化物:)单碱锑化物:金属锑与碱金属锂、钠、钾、铷、铯中的一种化合,能金属锑与碱金属锂、
5、钠、钾、铷、铯中的一种化合,能形成具有稳定光电发射的发射体。形成具有稳定光电发射的发射体。最常用的是最常用的是锑化铯(锑化铯(CsSbCsSb),),其阴极灵敏度最高,量子其阴极灵敏度最高,量子效率为效率为15152525,蓝光区量子效率高达,蓝光区量子效率高达30%30%,长波限为:,长波限为:600nm600nm。广泛用于。广泛用于紫外和可见光区紫外和可见光区的光电探测器中。光谱的光电探测器中。光谱响应范围较窄对红光红外不灵敏响应范围较窄对红光红外不灵敏CsSb阴极最为常用,紫外和可见光区的灵敏度最高阴极最为常用,紫外和可见光区的灵敏度最高(3)多碱锑化物:)多碱锑化物:SbNaKCs 最
6、实用的光电阴极材料,高灵敏度、最实用的光电阴极材料,高灵敏度、宽光谱,红外端延伸宽光谱,红外端延伸930nm,用于宽带光谱测量仪,用于宽带光谱测量仪,扩扩展到近红外展到近红外。(4)紫外光电阴极)紫外光电阴极 光电阴极只对所探测的紫外辐射信号灵敏,而对光电阴极只对所探测的紫外辐射信号灵敏,而对可见光无响应,这种阴极通常称为可见光无响应,这种阴极通常称为“日盲日盲”型光电阴型光电阴极极。“日盲日盲”型光电阴极型光电阴极实用的两种:实用的两种:碲化铯碲化铯(CsTe)长波限为长波限为0.32m碘化铯碘化铯(Csl)长波限为长波限为0.2 m。响应范围响应范围(100280nm)负电子亲和势材料结构
7、、原理负电子亲和势材料结构、原理重掺杂的重掺杂的P型硅表型硅表面涂极薄的金属面涂极薄的金属Cs,经过处理形成经过处理形成N型型的的Cs2O。以以Si-Cs2O光电阴极为例光电阴极为例P型型Si的电子亲和势的电子亲和势:N型型Cs2O电子亲和势电子亲和势:EA1=E0-EC10EA2=E0-EC20体内:体内:P型型表面:表面:N型型从从SiSi的导带底部漂移到的导带底部漂移到表面表面CsCs2 2O O的导带底部。此的导带底部。此时,电子只需克服时,电子只需克服E EAeAe就就能逸出表面。对于能逸出表面。对于P P型型SiSi的光电子需克服的有效的光电子需克服的有效亲和势为亲和势为E EAe
8、Ae=E=EA2A2-E-Ed d由于能级弯曲,使由于能级弯曲,使E Ed dEEA2A2,这样就形成了负电子亲这样就形成了负电子亲和势。和势。体内:体内:P型型表面:表面:N型型负电子亲和势负电子亲和势(体内衬体内衬底材料的底材料的有效有效电子亲电子亲和势和势)是负的是负的经典发射体的经典发射体的电子亲电子亲和势仍是正的和势仍是正的EA1=E0-EC10EA2=E0-EC20EAe=E0-EC11例如,例如,n912,测量精度,测量精度1%电源电源电压稳定度电压稳定度0.1%。3、光电特性、光电特性阳极光电流与入射于光电阴极的光通量之间的函数阳极光电流与入射于光电阴极的光通量之间的函数关系,
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