T3_REF_DDR3_8X4_V1_0_Layout_note.docx
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1、T3_REF_DDR3_8X4_V1_O1.ayoutNote1Stackup-Impadence-TraceWidth-SixkupStruaureimpedanceRejutfmentsLayerTypeThckness(mil)Dk(WrthSimZ0)impedancespec(OhmS)ReferencelayerWidtrvspace(mil)SimZO(OhfnS)so*dermask05SM4251TOP1603ozpatig50110%2452189010%245/7503110%238/87985prepreq2942GND10.605ozcore40423SG10605X
2、50110%2&44502901%2&445/759032IOo=10%2&438/879892prepreq70454GND20.605(core4045SIG20.605(K5010%547450290110%5&745/75903211%5&738/879892prepreq70456SIG31.60.55010%7452189010%745/7.59003IooI;10%738/8798.5core40427POWER1060510miIe3间距单端:外层线与线的间距(AirGap)8mil,内层28mil0差分线:到其他网络走线间距212mil0电源与地:到其他网络走线的间距N12m
3、ilVREF:到其他网络走线的间距28milBGA区域里:线与线如里;线与SMDPIN4mil:线与过孔4mil04拓扑DQ:单点对单点DQSDQSB:单点对单点Ax、BAxCAS、RAS、WE、CSxODTxxCKEx、RST:远端簇型F600mil,E-F+/-50mil.对于四片颗粒:A,B700mil,A-B+/-50mil,C,D900mil,C-D+/-50mil4,CK、CKB:远端簇型对于四片颗粒:C,D,E,F500mil,C-D+/-50mil,E-F+/-50mil,G,H800mil,G-HRAS、WE、CSxODTx、CKEx:相对于CK/CKB信号做等长,误差范围为
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