光伏设备行业深度报告之电镀铜深度研究.docx
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1、光伏设备行业深度报告之电镀铜深度研究目录1. 电镀铜助力HJT降本增效,产业化进程即将进入加速期31.1. HJT亟需降低银浆成本,电镀铜为HJT独有的降本方式.31.2. 电镀铜同时实现降本&增效,耗材&设备国产化推动降本加速进行时61.3. 电镀铜处于导入初期,关注下游验证情况92. 多种技术方案角力,电镀铜设备商优先受益112.1. 到2025年电镀铜设备市场空间达30亿元,2023-2025年CAGR达260%112.2. 种子层制备:PVD为主流方案,2025年新增设备市场空间约7亿元132.3. 图形化:油墨+掩膜类光刻经济性强,2025年新增设备市场空间约9亿元152.4. 电镀
2、看好水平镀技术突破,2025年新增设备市场空间约7亿元173. 本土重点公司介绍203.1. 迈为股份:光伏异质结设备领军者,积极布局电镀铜工艺HJT设备龙头,前瞻布局铜电镀技术。2032太阳井(未上市):领跑异质结电镀铜整线设备,自主研发实力构筑技术护城河213.3. 罗博特科:光伏自动化设备龙头,首创新型异质结电池铜电镀装备223.4. 东威科技:PCB电镀设备龙头,光伏电镀铜领域成功突破PCB电镀设备龙头,垂直连续电镀设备技术水平国际领先。.233.5. 捷得宝(未上市):光伏电池电镀铜先行者,整线设备积累深厚233.6. 芯蒙微装:国内激光直写设备龙头,拟定增加码电镀铜应用243.7.
3、 苏大维格:依托光刻机先进制造能力,进军电镀铜图形化领域254. 投资建议255. 风险提示261 .电镀铜助力HJT降本增效,产业化进程即将进入加速期1.1. HJT亟需降低银浆成本,电镀铜为HJT独有的降本方式HJT降本为规模扩产关键,银浆降本为重要手段。2021年以来电池技术路线由PERC向更高效率的HJLTOPCon等N型技术转变,其中TOPCon的扩产规模高于HJT,我们预计2022年TOPCon新增扩产超130GWxHJT约30GW,主要系HJT的总成本仍偏高,根据我们的测算,2022年底硅料240元/KG、M6硅片4.5元/片时,TOPCon总成本约为0.85元/W、HJT总成本
4、约为0.91元/W。降本成为HJT规模扩产的关键,而银浆成本在HJT总成本中占比最高根据我们的测算银浆成本占总成本比重约11%,因此降低银浆成本、少银&去银化极为关键。图1:HJT单W成本仍偏高,成为制约其大规模犷产的瓶颈数据来源:CPIA等,东吴证券研究所测算S2: 2022年TOPeOn的新增犷产规模大于HJT (单 图3:三种技术路线,下HJT的银浆成本在总成本中占比位:GW)最高数据来源:各公司公告,东吴证券研究所效据来源:CPlA等,东吴证券研究所测算图4:三种技术路货,下HJT银浆耗量最高图S:三种技术路线下HJT银浆成本最高银浆降本手段主要分为两大类,电镀铜为终极去银化降本手段:
5、(1)栅线图形的优化,通过栅线变细从而节约银浆耗量,例如MBB(多主栅),逐步由12BB向SMBBxOBB(即无主栅技术,去掉主栅仅保留细栅);(2)浆料银含量的降低,使用贱金属替代贵金属,例如银包铜可利用铜替代部分银,通过将银覆盖在铜粉颗粒的表面来减少银用量,而电镀铜则可利用铜替代全部银,实现去银化,彻底解决HJT用银问题,同时与其它降银手段相比,电镀铜由于栅线更细降低遮光面积,能够进一步提升效率,进一步降彳氐单位成本。从降本&增效两个维度考虑,电镀铜是去银化的终极手段。表1:降银技术路或比校,电彼铜为终局去银化技术优化栅线图形降低浆料银含量SMBB.OBB银包铜电镀铜降本原理栅线变多变细,
6、或无主栅通过将4艮覆盖在铜粉颗粒的表面来减少银用量,铜能够替代部分银钢直接作为金属电极材料、完全替代银优点降低银浆用量;减少遮光面积,提升光线利用率;缩短电流横向收集路径,减少内部损耗、提升功率降低浆料成本,导电、导热性能优异铜替代全部的4&提升转换效率,从根本上解决4艮浆成本过高的问题抉点降低组件的串联电也从而导致弱光性能低于常规组件高温工艺中铜容易氧化失效,适用于低温工艺的HJT良率较低.工艺涉及环保问题多、铜栅线脱栅/氧化等技术进展4BB5BBMBB(6-12)SMBBOBB,华晟目前量产I2BB,后续逐步切换SMBB;OBB多家厂商技术脸证中多家下游客户已批量导入进口银包铜浆料,国产银
7、包铜浆料险证中,关键难点在于可靠性各家厂商技术脸证中,关就难点在于工艺成熟度&降本数据来源:Solarzoom,各公司官网,东吴证券研究所电镀铜技术更适用于HJT,为HJT独有的降本项:(1)PERC:无需使用电镀铜,因单面用银、银浆耗量少,电镀铜带来的非硅成本下降极为有限。(2)XBC:PN结和电极均处于电池背面,不需要考虑遮光损失,栅线图形也不需要特别精细,但XBC工艺复杂,需要多次掩膜和刻蚀,电镀铜进一步增加其复杂程度。(3)TOPCon:电镀铜要求低温工艺,与TOPCon高温工艺不适配,高温下铜容易氧化失效TOPCOn电极直接与硅片接触缺少TCO薄膜阻挡,铜易扩散到硅中,带来可靠性问题
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