完善第三代半导体产业工作机制行动计划.docx
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1、完善第三代半导体产业工作机制行动计划一、坚持全产业链协同发展,提升产业整体竞争能力以技术和产品发展相对成熟的SiC、GaN材料为切入点,迅速做大第三代半导体产业规模。聚焦材料、外延、芯片、器件、封装、设备和应用等第三代半导体产业链重点环节,加强产学研联合,以合资、合作方式培育和吸引高水平企业,促进产业集聚和产业链协同,推动第三代半导体在电力电子、微波电子和半导体照明等领域的应用,打造第三代半导体产业发展高地。1、提升材料制备和产业化能力加速推进大尺寸SiC、GaN等单晶体材料生长及量产技术,突破SiC.GaN材料大直径、低应力和低位错缺陷等关键技术,全面提升4-8英寸GaN外延、SiC衬底单晶
2、材料产业化能力。突破超硬晶体材料切割和抛光等关键核心技术,提升4-8英寸SiC、GaN衬底材料精密加工能力。加大对薄膜材料外延生长技术的支持力度,补足第三代半导体外延材料生长环节。推动Ga203等新一代超宽禁带半导体材料的研发与产业化。2、提升器件设计和制造能力搭建第三代半导体研发、仿真设计平台,大力扶持基于SiC、GaN等第三代半导体材料的功率、射频、以及微型发光器件及芯片设计产业,围绕SiC功率器件的新能源汽车应用和GaN功率器件的消费类快充及工业类电源市场,促进产学研合作以及成果转化,引导器件设计企业上规模、上水平。推进基于GaN、Sie的垂直型肖特基二极管(SBD)、金属氧化物半导体场
3、效应晶体管(MOSFET)、高电子迁移率晶体管(HEMT),大功率绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、微型发光二极管(MiCrO-1.ED)、高端传感器、以及激光器等器件和模块的研发制造,支持科研院所微纳加工平台建设。大力推动晶圆生产线建设项目,优先发展特色工艺制程器件制造,在关键电力电子器件方面形成系列产品,综合性能达到国际先进水平。3、提升封测技术和供给能力重点开发基于第三代半导体的功率和电源管理芯片的封装材料,解决高功率、高密度大芯片的封装可靠性技术问题,积极引进先进封测生产线和技术研发中心,推动高端封装测试工艺技术装备的研制和生产效率的提升,提高产业链配套能力。4、提升关键装备支撑能力布局
4、生长、切片、抛光、外延等核心技术装备,突破核心共性关键技术,通过关键设备牵引,实现分段工艺局部成套。突破SiC晶体可控生长环境精准检测与控制技术、基于大数据分析的数字李生及人工智能模拟技术,研制SiC单晶智能化生长装备并实现产业化。提升清洗、研磨、切割等设备的生产能力以及设备的精度和稳定性。二、培育优势主体,拉动产业整体规模快速扩大1、壮大龙头企业加大对重点企业的关注和扶持力度,实行一企一策,协调解决企业发展关键制约点。优先将符合条件的产业链重点项目纳入山东省新旧动能转换重大项目库,充分利用好新旧动能转换政策,进行重点扶持;围绕SiC、GaN等晶体材料、功率器件和模块、照明与显示器件和下游应用
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