电子技术模拟题答案范本解析.docx

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1、习题IO10.1判断下列说法与否对的，用“J”利“X”表达判断成果填入空内。（1）场效应管的漏极电流受栅源电压形成的电场控制，因此称为场效应管。（）（2）栅极悬空时增强型场效应管存在导电沟道，漏极电流较大。（）（3）栅源电压为0时存在导电沟道的场效应管是耗尽型场效应管。（）（4）N沟道增强型场效应管H勺启动电压不不小于0。（）（5）结型场效应管外加H勺栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。（）（6）若耗尽型N沟道MOS管的UGS不小于零，则其输入电阻会明显变小。（）答：（1）（2）（3）（4）X（5）（6）X10.2 选择对的的答案填入空内。（I）场效应管的漏极

2、电流是由（）的漂移运动形成的。A.少子B.多子C.两种载流子（2）场效应管是一种（）控制型的电子器件。C.电压）来控制漏极电流的大小的。C.电压）。A.电流B.光（3）场效应管是运用外加电压产生的（A.电流B.电场（4）与双极型晶体管比较，场效应管（A.输入电阻小B.制作工艺复杂C.放大能力较弱（5）当场效应管的漏极直流电流/d从2mA变为3mA时，它的低频跨导将（）。A.增大B.减小C.不变某场效应管H勺转移特性如由题图10.2所示，则该管是（）场效应管oA.增强型NMOSB.耗尽型NMOSC.耗尽型PMOS（7）当耗尽型场效应管工作于放大区时，场效应管/d的数学体现式为（）。=1DSSev

3、cs B. J = Idss(Vgs-Vds)CjD= ss(l -VGS )2 V / vGS(off)（8）当栅源电压MGS=OV时，可以工作在恒流区的场效应管有（）oA.结型管B.增强型MOS管C.耗尽型MOS管答：(1)B(2)C(3)B(4)C(5)A(6)B(7)C(8)AC10.3 已知场效应管的输出特性曲线如题图10.3所示，画出它在恒流区的转移特性曲线。解：在输出特性上作Ws=IOV的垂线，查出它与输出特性曲线的交点（VGS，加），可作出转移特性曲线如题图10.3.1所示。10.4 在题图10.4所示电路中，已知场效应管的55V,问在下列三种状况下，管子分别工作在哪个状态？V

4、GS=_3V, VDS=IV(1) Vgs=-8V,vds=4V(2)vgs=_3V,VDS=4V(3)：vgs Vp, Vgs -VDS Vp:vgsVp,Vgs -Vds ,vgsvds0）场效应管工作状态的判断：截止区：vgsVp恒流区：vgsVp可变电阻区本题中为N沟道耗尽型（作0）场效应管工作状态的判断：截止区：VGSVyT恒流区：vgs-,vgs-Vds,vgs-VdsVP沟道增强型（VrVt恒流区：vgsV可变电阻区：vgsVt,VGS-VdsVrTisNMOS,恒流区；T2：PMOS,截止区；T3：PMOS,可变电阻区。10.7 已知某结型场效应管的/Dss=2mA,Vp=-4

5、V,试画出它的转移特性曲线和输出特性曲线，并近似画出预夹断轨迹。解：N沟道结型（耗尽型）场效应管的转移特性曲线方程为:，d = IDSS(I- = 2(1 + -)(VpO, Vpvgsvgs-Vp)预夹断轨迹方程：VDS=VGS-Vp= VGS +4特性曲线如题图10.7.1所示。ZmA2中变电阻区-4 I drP. .LlLn- L ItE 4 心10.8 场效应管电路和它的输出特性如题图10.8所示，分析当也=4V、8V、I2V三种状况下场效应管分别工作在什么区域。解：由电路可知，场效应管是N沟道增强型，VGS=W0由转移特性看出，V6Vo当v1=4V时，场效应管在截止区。当W=8V时，

6、由输出特性看出，IDQO6mA。因此，vds=12-3.3XO.6=1OV,场效应管工作在恒流区。当Vi=12V时,由输出特性看出，IDA4mA。因此，vds=012-3.34=-1.2V,场效应管工作在可变电阻区。10.9 电路如题图10.9所示，设FET的参数为：DSS=3mA,Vp=-3Vo当RD分别为下列两个数值时，判断FET是处在饱和区还是非饱和区，并求饱和区中的电流d(I)RD=3.9kQ(2)RD=IOkQ( + 15V)解：静态时,vgs=O,Io=Dss=3mAo(I)RD=3.9k。，VDS=VDD-RdlD=3.3V,FET工作在恒流区；(2)RD=IOkQ,s=OVVD

7、D-RdlD=-15V,FET工作在可变电阻区。10.10场效应管电路、场效应管口勺转移特性和输出特性分别如题图10.10所示。(1)运用图解法求解Q点；(2)运用等效电路法求解4、Ri和心。-CP帮)hJL-.XZl.、日石田IIAA解：由电路得%S=%_VS=_RjD=_0DVDS=VDDiD(Rd+&)=10-7iD分别在转移特性和输出特性上作出上述方程的直线,VGS=-2VJD=imAyDS=3V;仁2ljY-2.5V02468IO12/.如题图10.10.1所示，因此、I-2.5VIE，8IO12QZi比1(2)运用等效电路法求解A”Ri和凡2g，=KnJ/o=1S%S电压增益A=-

8、=-gnX=sl=一5匕输入电阻Rj=R=IMQ输出电阻Ro=Rd=5k10.11电路如题图10.11所示，已知FET日勺工作点上的互导gm=1ms。(1)画出电路的小信号等效电路;(2)求电压增益Av；(3)求输入电阻Ri和输出电阻PTl 11 1解：（1）小信号等效电路如题图10lll所示。（2）求电压增益Av;2（3）求输人电阻Ri和输出电阻Ri=Rg+RgJ%2MQRo=Ra=om(I)该FET是耗尽型还是增强型？是N沟道还是P沟道FET?(3)从这个转移特性上可求出该FET的夹断电压VP还是启动电压Vt?求其值。解：(1)增强型；(2)P沟道;(3)从这个转移特性上可求出该FET的启

9、动电压Vt,等于-4V。10.13一种JFET的转移特性曲线如题图10.13所示。(1)它是N沟道还是P沟道的JFET?(2)它的夹断电压VP和饱和漏极电流dss各是多少？i IAzI t八 Ir解：(1)N沟道耗尽型FET；(2)它的夹断电压Vp=-4V,饱和漏极电流dss=4111A10.14增强型FET能否用自给偏压的措施来设置静态工作点？试阐明理由。答：不能。以N沟道增强型FET为例，其启动电压不小于0,而自给偏压只能产生不不小于0日勺偏压。参数=40,be=lkQ0(1)画出放大电路的小信号等效电路;(2)计算放大电路的电压增益A”输入电阻R和输出电阻凡。解：(1)小信号等效电路如题

10、图10.15.1所示。(2)计算放大电路Ifi电压增益人和输入电阻吊。Vi=VgS+g”,4K%=g/s&4=Sn,Rx=0.62匕1gKK=Rg+RgJ422MQ在Vv=O时,=4+g,”7=%+小gX%演+(1+0R,一g,MARJMbe+(1+Z?)R=g,M,Rl%+(1+知+dmd+m.入一C+O+0凡/R/LKg%,+0+0Rgm10.16电路如题图10.16所示，设FET(T)的互导为gm，m很大；BJT(T2)的电流放大系数为从输入电阻为小。(1)试阐明Ti、T2各属什么组态；(2)画出电路的小信号等效电路；(3)写出放大电路的电压增益Av、输入电阻Ri及输出电阻&H勺体现式。

11、解：(1)Tl是共漏组态、T2是共射组态;(2)小信号等效电路如题图10.16.1所示。小信号等效电路(3)写出放大电路的电压增益Av、输入电阻吊及输出电阻&的体现式。A，”=g/be以凡&)”ga(，仁)4匕l+gz,%1+g瓜Ri=RM&=凡10.17 题图10.17所示电路为一带自举电路的高输入阻抗射极跟随器。试定性阐明:(1)电压增益靠近为1；(2)通过C3引入自举可减少漏栅电容对输入阻抗的影响;(3)通过G引入自举大大提高了放大电路的输入电阻。7一口而IArI八，r解：略10.18 电路如题图10.18,己知=100kQ,=300kC,=2MC,Kd=IOkdRSI=IOkd&2=2

12、kQ,=20V,g111=lms(1)画出电路的小信号等效电路；(2)求电压增益A、,；(3)求放大器的输入电阻凡及输出电阻R。解：(1)小信号等效电路;顺西m1I件桥小隹叁笺柄由政(2)求电压增益A；匕=%g,R,2匕4=-Sn,Rd=-3.3匕1+g.凡(3)求放大器H勺输入电阻R及输出电阻RgRi=43+Rg/422fRo=Rd=10.19 源极输出器电路如题图10.19所示，已知FET工作点上的互导gm=09s,其他参数如图所示。(1)画出电路的小信号等效电路;(2)求电压增益A，、输入电阻凡、输出电阻R。解：(1)小信号等效电路如题图10.19.1所示。题图10.19.1小信号等效电路(2)求电压增益A.、输入电阻尺、输出电阻几匕=%+gMA匕=gm%RA=2k=.&，&._=。9匕1+gARmg2H2MQ在v=0时，M=亳-gm4s=-g“M,Ro=