材料合成与制备-试卷与答案.docx
《材料合成与制备-试卷与答案.docx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《材料合成与制备-试卷与答案.docx(8页珍藏版)》请在第壹文秘上搜索。
1、考试科目:材料合成与制备1.(单选题)下列关于自蔓延高温合成技术说法错误的是()(本题2.O分)A.SHS能产生高温,产品纯度高,反应转化率接近100%oB.扩大生产规模简单,从实验室走向工业生产所需的时间短C. SHS技术在燃烧过程中,材料经历了很大的温度变化,非常高的加热和冷却速率,使生成物中缺陷和非平衡相比较集中,因此此技术产物比用传统方法制造的产物更难烧结。D. SHS燃烧波为反应混合物的反应传播面。一般为:初始混合物预热区反应区后烧区最终产物。答案:C解析:无2.(单选题)下列关于单晶的制备方法哪个是错误的()(本题2.0分)A.降温法是利用物质较大的正溶解度温度系数,在晶体生长过程
2、中逐渐降低温度,使析出的溶质不断地进行晶体生长。B.蒸发法是将溶剂不断蒸发减少,使溶液保持在过饱和状态,从而使晶体生长。C.升华法是将固体在高温区升华,蒸气在温度梯度的作用下向低温区输运结晶的一种生长晶体的方法。D.底部籽晶法是原料在用期底部高温区熔融于助熔剂中,形成饱和熔融液,在旋转搅拌作用下扩散和对流到顶部相对低温区,形成过饱和熔液,在籽晶上结晶生长晶体。P234答案:D解析:无3 .(单选题)有关薄膜的四种典型组织形态的叙述错误的是()(本题2.0分)A.形态1型的薄膜的强度较形态T时显著提高。B.形态2型的薄膜组织形成于TsTm=0.3(0.5的温度区间。C.形态1型的组织形成于温度很
3、低(TTmO.5的温度区间。答案:A解析:无4 .(单选题)下列关于陶瓷原位凝固成型工艺的说法错误的是()(本题2.0分)A.在原位凝固的过程中,坯体没有收缩,介质的量没有改变。B.凝胶注模成型分为水溶液凝胶注模成型和非水溶液凝胶注模成型。P139C.凝胶注模成型工艺是一种陶瓷近净尺寸成型技术。D.成型坯体组分和密度皆均匀,但有机物含量多,排除较难。答案:D解析:无5 .(单选题)关于非晶态材料的基本特征描述错误的是()(本题2.0分)A.只存在小区间内的短程有序,在近邻和次近邻原子间的键合具有一定的规律性,而没有任何长程有序B.它的衍射花样是由较宽的晕和弥散的环组成,没有表征结晶态的任何斑点
4、和条纹,用电镜看不到晶粒,晶界晶格缺陷等形成的衍衬反差C.当温度连续升高时,在某个很窄的温区内,会发生明显的结构相变,是一种非常稳定的材料D.对高温熔液以每秒10万摄氏度的超急冷方法使其凝固,因而来不及结晶而形成的材料答案:C解析:无6 .(单选题)有关合成与制备方法错误是()(本题2.0分)A.先驱物法是软化学方法中最简单的一类,又称前驱体法、初产物法等。其关键在于先驱物的分子设计与制备。B.溶胶-凝胶法就是用含高化学活性组分的化合物作前驱体,在液相下将这些原料均匀混合,并进行水解、缩合化学反应,形成稳定的透明溶胶体系,溶胶经陈化胶粒间缓慢聚合,形成三维空间网络结构的凝胶。C.水热(溶剂)合
5、成反应主要以界面扩散为其特点。P51D.微波加热的显著特点材料整体变热,避免材料内外温差,使材料内外的结构均匀。答案:C解析:无7 .(单选题)下列有关辉光放电的描述错误的是()(本题2.O分)A.溅射离子来源于气体放电,主要是辉光放电。B.二级电子在飞往阳极的过程中使气体碰撞电离,这也是辉光放电持续不灭当的原因。C.正常辉光放电时,阴极表面开始,依次为:阿斯通暗区、阴极光层、阴极暗区、负辉光区、法拉第暗区、正柱区、阳极暗区和阳极光层,其中以负辉光区、法拉第暗区和正柱区为主体。D.正柱区是大量电离区,产生大量的正离子,正离子与电子复合发光。答案:D解析:无8.(单选题)下列()图示是泡生法制备
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 材料 合成 制备 试卷 答案
