高级电工考试之选择题.docx
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1、1 .如以下列图直流电路中Il为()Ao(八)11(B)-5(C)15(D)52 .在多级放大电路的级间耦合中,低频电压放大电路只要采用()偶合方式。(八)阻容(B)直接(C)变压器(D)电感3 .磁极周围存在着种特殊物质,这种物质具有力和能的特性,该物质叫()。(八)磁性(B)磁场(C)磁力(D)磁体4在磁路中(在(八)有磁阻就一定有磁通(B)有磁通就一定有磁通势(C)有磁通势就定有磁通(D)磁导率越大磁阻越大5 .在一个磁导率不变的磁路中,当磁通势为5安匝时,磁通为IWb;当磁通势为10安匝时,磁通为()Wbo(八)2.5(B)10(C)2(D)56 .一直导体放在磁场中,并与磁力线垂直,
2、当导体运动的方向与磁力线方向成()夹角时导体总共产生的电动势最大。(八)90(B)30(C)45(D)07 .线圈自感电动势的大小与()无关。(八)线圈中电流的变化率(B)线圈的匝数(C)线圈周围的介质(D)线圈的电阻8 .互感器线圈的极性一般根据()来判定。(八)右手定那么(B)左手定那么(C)楞次定律(D)同名端9 .变压器的铁心采用绝缘硅钢片叠压而成,其主要目的是((八)减小磁阻和杂散损耗(B)减小磁阻及铜耗(C)减小磁阻和电阻(D)减小磁阻和铁耗10 .在电磁铁线圈电流不变的情况下,衔铁被吸合过程中,铁心中的磁通将((八)变大(B)变小(C)不变(D)无法判定11 .JSS-4A型晶体
3、三极管测试仪是测量中小功率晶体三极管在低频状态下的h参数和()的常用仪器。(八)击穿电压(B)耗散功率(C)饱和电流(D)频率特性12 .JSS-4A型晶体管h参数测试仪中的直流放大器采用了()放大器。(八)交流(B)脉冲(C)差动(D)功率13 .使用SB-IO型普通示波器观察信号波形时,欲使显示波形稳定,可以调节()旋钮。(八)聚焦(B)整步增幅(C)辅助聚焦(D)辉度14 .用晶体管图示仪观察二极管正向特性时,应将()o(A) X轴作用开关置于集电极电压,Y轴作用开关置于集电极电流(B) X轴作用开关置于集电极电压,丫轴作用开关置于基极电流(C) X轴作用开关置于基极电压,丫轴作用开关置
4、于基极电流(D) X轴作用开关置于基极电压,Y轴作用开关置于集电极电流15 .示波器面板上的“辉度”是调节()的电位器旋钮。(八)控制栅极负电压(B)控制栅极正电压(C)阴极负电压(D)阴极正电压16.SR-8型双踪示波器中的“DC-_LAC是被测信号反响至示波器输入端偶合方式的选择开关。当此开关置于“_L档时,表示()。(八)输入端接地(B)仪表应垂直放置(C)输入端能通直流(D)输入端能通交流17.SR-8型双踪示波器中的电子开关有()个工作状态。(八)2(B)3(C)4(D)518 .影响模拟放大电路静态工作点稳定的主要因素是()o(八)三极管的B值(B)三极管的穿透电流(C)放大信号的
5、频率(D)工作环境的温度19 .电容三点式正弦波振荡器属于()振荡电路。(八)RC(B)LC(C)RL(D)石英晶体20 .直流差动放大电路可以()(八)放大共模信号,抑制差模信号(B)放大差模信号,抑制共模信号(C)放大差模信号和共模信号(D)抑制差模信号和共模信号21 .集成运算放大器是一种具有()耦合放大器。(八)高放大倍数的阻容(B)低放大倍数的阻容(C)高放大倍数的直接(D低放大倍数的直接22 .在硅稳压管电路中,限流电阻R的作用是()。(八)既限流又降压(B)既限流又调压(C)既降压又调压(D)既调压又调流23 .与非门的逻辑功能为()o(八)入。出0,全1出I(B)入1出0,全0
6、出0(C)入0出1,全1出。(D)入1出0,全0出124 .TTL与非门的输入端全部同时悬空时,输出为()。(八)零电平(B)低电平(C)高电平(D)可能是低电平,也可能是高电平25 .在或非门RS触发器中,当R=S=I时,触发器状态()。(八)置1(B)置0(C)不变(D)不定26 .TTL与非门RC环形多谐振荡器的振荡频率由()决定。(八)TTL与非门的个数(B)电阻R的大小(C)电容C的容量(D)RC27 .一异步三位二进制加法计数器,当第八个CP脉冲过后,计数器状态为()。(八)000(B)010(C)HO(D)10128 .存放器主要由()组成。(八)触发器(B)门电路(C)多谐振荡
7、器(D)触发器和门电路29 .最常用的显示器件是()数码显示器。(八)五段(B)七段(C)九段(D)十一段30 .在三相半控桥式整流电路中,要求共阴极晶闸管的触发脉冲之间相位差为()o(八)60(B)120(C)150(D)18031 .在简单逆阻型晶闸管斩波器中,()晶闸管。(八)只有一只(B)有两只主(C)有两只辅助(D)有一只主晶闸管,一只辅助32 .在并联谐振式晶闸管逆变器中,为求得较高的功率因数和效率,应使晶闸管触发脉冲的频率()负载电路的谐振频率。(八)远大于(B)大于(C)接近于(D)小于33 .电力场效应管MoSFET是理想的()控制器件。(八)电压(B)电流(C)电阻(D)功
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