团标《铸造单晶硅材料性能评价技术规范》.docx
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1、ICS27.160CCSH82团体准T/CPIAXXXX-202X铸造单晶硅材料性能评价技术规范TechnicalspecificationforperformanceevaIuationofCASTmonocrystaIlinesiIicon(报批稿)XXXX -XX-XX 发布XXXX-XX-XX实施中国光伏行业协会发布铸造单晶硅材料性能评价技术规范1范围本文件规定了铸造单晶硅材料的术语和定义、技术要求、检验方法、检验规则。本文件适用于铸造单晶硅锭开方后的硅块的性能评价。2规范性引用文件下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文件,仅该日期对应的版
2、本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法GB/T1551-2021硅单晶电阻率的测定直排四探针法和直流两探针法GB/T1557-2018硅晶体中间隙乳含量的红外吸收测量方法GB/T15582009硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法GB/T2297太阳光伏能源系统术语GB/T2828.1-2012计数抽样检验程序第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划GB/T14264半导体材料术语GB/T260682018硅片和硅锭载流子复合寿命的测试非接触微波反射光电导衰减法GB/T290542019太阳能
3、电池用铸造多晶硅块3术语和定义GB/T2297和GB/T14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件。11铸造单晶硅CastingmonocrystaIlinesiIicon引入单晶籽晶,以定向凝固法生长形成的单晶硅。4技术要求d1外观质量4.1.1 硅块应无目视可见的裂纹、崩边、缺口。4.1.2 硅块磨面后的红外探伤检测结果应无微晶、无阴影、无夹杂,每个硅块应测量4个侧面。4.1.3 硅块侧面的表面粗糙度Ra应不大于0.2阿。4.1.4 硅块的垂直度应为90。0.15。4.1.5 电学性能4.1.6 2.1硅块导电类型为P/N型。4.2.2P型硅块电阻率为0.5。Cm1.5cm,N型硅块电
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