单相桥式全控整流电路反电动势负载MATLAB仿真.docx
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1、电力电子仿真实验报告一、课程设计名称单相桥式全控整流电路反电动势负载MATLAB仿真二、设计任务及条件1.设计条件:1)电源电压:交流IoOv/50HZ2)输出功率:IKW3)移相范围:30。T50。4)反电势:E=70V2.要求完成的主要任务;(1)主电路设计(包括整流元件定额的选择和计算等),讨论晶闸管电路对电网及系统功率因数的影响。2)触发电路设计:触发电路选型(可使用集成触发器),同步信号的产生。(3)晶闸管的过电压保护与过电流保护电路设计,计算保护元件参数并选择保护元件型号。4)利用仿真软件分析电路的工作过程。三、设计原理1.主电路原理图三21单1日忻武全控整流电ft接质电动监电咱员
2、敕b)图2-2$融电压、电流波形工作原理:当整流电压的瞬时值Ud小于反电势E时,晶闸管承受反压而关断,这使得晶闸管导通角减小。晶闸管导通时,ud=u2,id=udER,晶闸管关断时,ud=E。与电阻负载相比晶闸管提前了电角度6停止导电,8称作停止导电角。=arcsinE2U2若时,触发脉冲到来时,晶闸管承受负电压,不可能导通。为了使晶闸管可靠导通,要求触发脉冲有足够的宽度,保证当晶闸管开始承受正电压时,触发脉冲仍然存在。这样,相当于触发角被推迟,即=8o四、保护电路的设计在电力电子电路中,除了电力电子器件参数选择合适、驱动电路设计良好外,采用合适的过电压、过电流、du/dt保护和di/dt保护
3、也是必要的。4.1过电压保护以过电压保护的部位来分,有交流侧过压保护、直流侧过电压保护和器件两端的过电压保护三种。图4-1过电压抑制措施及配置位置F%避雷器D%变压器静电屏蔽层C%静电感应过电压抑制电容RC;%阀侧浪涌过电压抑制用RC电路RCT阀侧浪涌过电压抑制用反向阻断式RC电路R%E敏电阻过电压抑制器RC3%阀器件换相过电压抑制用RC电路RCD判阀器件关断过电压抑制用RCD电路(1)交流侧过电压保护可采用阻容保护或压敏电阻保护。a.阻容保护(即在变压器二次侧并联电阻R和电容C进行保护)单相阻容保护的计算公式如下:C26*iO%*SU22(F)R2.3*U22S*uK96iO(Q)S:变压器
4、每相平均计算容量(VA);U2:变压器副边相电压有效值(V);i%;变压器激磁电流百分值;U%:变压器的短路电压百分值。当变压器的容量在(IOToOO)KVA里面取值时i0X=(4T0)在里面取值,Uk%=(5T0)里面取值。电容C的单位为F,电阻的单位为o电容C的交流耐压L5U,.正常工作时阻容两端交流电压有效值。根据公式算得电容值为2.3F,交流耐压为150V,电阻值为27.04,在设计中我们取电容为3F,电阻值为28Q。b.压敏电阻保护Ulm=132U2=l.32100=183.85V选MYG-40D210K型压敏电阻(允许偏差+10%)作交流侧浪涌过电压保护。(2)直流侧过电压保护直流
5、侧保护可采用与交流侧保护相同的方法,可采用阻容保护和压敏电阻保护。但采用阻容保护易影响系统的快速性,并且会造成diIdt加大。因此,一般不采用阻容保护,而只用压敏电阻作过电压保护。UlO62(1.8-2)UDE=(1.8-2.2)X101.31=182.36-222.88V选MYGYOD210K型压敏电阻(允许偏差+1096)作直流侧过压保护。4.2过电流保护图4-2过电流保护措施及酉语位整路器整定在电子电路动作之后实现保护,过电流继电器整定在过载时动作。快速熔断器的断流时间短,保护性能较好,是目前应用最普遍的保护措施。快速熔断器可以安装在直流侧、交流侧和直接与晶闸管串联。与晶闸管串联的快速熔
6、断器的选用一般遵循以下几条原则:(1)快速熔断器的额定电压应大于线路正常工作电压的有效值。(2)快速熔断器的额定电流Ikg是指电流有效值,晶闸管额定电流是指电流平均值(通态电流平均值)。选用时要求快速熔断器的熔体额定电流Ikg小于被保护晶闸管额定电流所对应的有效值的1.571(xv),同时要大于正常运行时线路中流过该元件实际电流有效值I+。即1.57IT(AV)IKRIT式中Ir(xv)一一晶闸管通态电流平均值IkK一一快速熔断器的熔体额定电流Ir一一流过晶闸管的电流有效值(3)熔断器(安装熔体的外壳)的额定电流应大于或等于熔体额定电流值。接电阻-反电动势负载的单相全控桥电路,通过晶闸管的有效
7、值IT=8.05,Ir(av)=10.25A,那么选择IRR=IOA比较合适。选取RLS-IO快速熔断器,熔体额定电流IOAo4.3电流上升率di/dt的抑制晶闸管初开通时电流集中在靠近门极的阴极表面较小的区域,局部电流密很大,然后以0.lmmS的扩展速度将电流扩展到整个阴极面,若晶闸管开通时电流上升率di/dt过大,会导致PN结击穿,必须限制晶闸管的电流上升率使其在合适的范围内。其有效办法是在晶闸管的阳极回路串联入电感。如图4T所示。S4-3串映电感抑制回路4. 4电压上升率du/dt的抑制加在晶闸管上的正向电压上升率du/dt也应有所限制,如果du/dt过大,由于du/dt晶闸管结电容的存
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