模拟电子技术基础-中国大学mooc.docx
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1、模拟电子技术基础-中国大学mooc第二章常用半导体器件原理常用半导体器件原理1、N型半导体是在纯净半导体中掺入A、带正电的离子B、三价元素,如硼等C、五价元素,如磷等D、带负电的电子参考答案:C2、用直流电压表测得电路中晶体管各电极的对地静态电位如图所示,试判断+9V+3.吧心+3V这些晶体管处于什么状态。A、放大B、饱和C、截止D、损坏参考答案:C3、用直流电压表测得电路中晶体管各电极的对地静态电位如图所示,试判断这OV些晶体管处于什么状态。TVA、放大B、截止C、饱和D、损坏参考答案:B4、图中所示是三种不同类型的场效应管的漏极特性曲线。试判断它们各属于什么类型的场效应管A、N沟道结型B、
2、N沟增强型MOSC、N沟耗尽型MOSD、P沟耗尽型MOS参考答案:B5、图中所示是三种不同类型的场效应管的漏极特性曲线。试判断它们各属于什么类型的场效应管A、N沟道结型B、P沟道结型C、N沟道绝缘栅型增强型MOSD、P沟道绝缘栅型耗尽型MoS参考答案:A6、图中所示是三种不同类型的场效应管的漏极特性曲线。试判断它们各属于什A、P沟道结型B、N沟道结型C、P沟道耗尽型MOSD、P沟道增强型MOS参考答案:C7、晶体管工作在放大区时,发射结为A、正向偏置B、反向偏置C、零偏置D、无参考答案:A8、晶体管工作在饱和区时,集电结为.A、零偏置B、正向偏置C、反向偏置D、无参考答案:B9、用直流电压表测
3、得电路中晶体管各电极的对地静态电位如图所示,试判断这些晶体管处于什么状态。A、放大B、截止C、饱和D、损坏参考答案:A10、用直流电压表测得电路中晶体管各电极的对地静态电位如图所示,试判断+2.3V这些晶体管处于什么状态。+2.5VA、饱和B、放大C、截止D、损坏参考答案:B11、用直流电压表测得电路中晶体管各电极的对地静态电位如图所示,试判断-12VF纥E储这些晶体管处于什么状态。TVA、饱和B、截止C、损坏)D、放大参考答案:D12、在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于A、温度B、杂质浓度C、掺杂工艺D、无参考答案:B13、电路如图所示,Ui=OJsinwt(V),当直流电源电压V增
4、大时,二极管rd的动态电阻将.A、保持不变B、增大C、减小D、无参考答案:C14、随着温度升高,晶体管的共射输出特性曲线将.A、上移B、下移C、左移D、右移参考答案:A15、在某放大电路中,测得晶体管的三个电极、的流入电流分别为一1.22mA、0.02mA、1.2mA。由此可判断电极是A、发射极B、基极C、集电极D、无参考答案:A16、设图中的二极管和三极管均为硅管,三极管的均为100,试判断三极管的工作状态A、饱和B、截止C、放大D、倒置参考答案:B17、在杂质半导体中,少数载流子的浓度主要取决于.A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、无参考答案:A18、电路如图1所示,ui=5sinwt(V
5、)二极管可视为理想二极管。分析以下情况中UO的波形,从以下四种波形中选择正确答案填空。UDC=OV,波形如图19、场效应管栅极的静态输入电流比双极型晶体管基极的静态输入电流A、大B、小C、相等D、无参考答案:B20、在某放大电路中,测得晶体管的三个电极、的流入电流分别为一1.2mA、-0.03mA、1.23mA电极是A、发射极B、基极C、集电极D、漏极参考答案:C21、设图中的二极管和三极管均为硅管,三极管的均为100,试判断三极管的+6V1110)(lk工作状态A、截止B、饱和C、放大D、倒置参考答案:C22、在保持二极管反向电压不变的条件下,二极管的反向电流随温度升高而A、不变B、减小C、
6、增大D、无参考答案:C23、在保持二极管的正向电流不变的条件下,二极管的正向导通电压随温度升高而OA、减小B、增大C、不变)D、无参考答案:A24、电路如图1所示,3=5SinWt(V)二极管可视为理想二极管。分析以下情况中uo的波形,从以下四种波形中选择正确答案填空。UDC=-IOV,波形如图所示。A、Q)t25、电路如图1所示,ui=5sinwt(V)二极管可视为理想二极管。分析以下情况中UO的波形,从以下四种波形中选择正确答案填空。UDC=10V,波形如图VDA、参考答案:A26、稳压管是一种特殊的二极管,它通常工作在反向击穿状态,它不允许工作在正向导通状态参考答案:错误27、P型半导体
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