碳化硅各类制品技术条件及检测方法.docx

碳化硅各类制品技术条件及检测方法一、碳化硅各种制品技术条件普通磨料碳化硅(SiC)乂名金刚砂，是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅由化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好等特点，主要有四大应用领域，即：功能陶瓷、高级耐火材料磨料及冶金原料，高纯度碳化硅可制造半导体和碳化硅纤维。碳化硅是卫星通信、高压输变电、轨道交通、电动汽车、通信基站等重要领域的核心材料，尤其是在航天、国防等领域有着不可替代的作用。目前我国在5G通信、电动汽车等新兴产业的技术水平、产业化规模等方面都处于国际优势地位，将促进我国上游半导体行业的持续发展，进一步提高国内半导体企业在国际市场的影响力，尤其对碳化硅器件将产生巨大的需求。化学成分是影响碳化硅使用性能的关键因素，对产品的生产和应用具有重要的指导意义。二、碳化硅特种制品1、硅碳棒JB/T3890-2017中碳化硅发热部化学成分按照GB/T3045标准进行检测。表】JB/T3890-2017标准中化学成分技术要求项目SiC要求闾298.52、氧化硅结合碳化硅板JB/T10376-2013中化学成分SiC、Sio2、Fe203按照JB/T5204标准进行检测。表2JB/T10376-2013标准中化学成分技术要求项目SiCSi02Fe203要求给286251.03、反应烧结碳化硅窑具粗棒GB/T21944.3-2022SiC.Si按照GB/T16555标准进行检测。表3GB/T21944.3-2022标准中化学成分技术要求项目SiCSi要求(%)82.018.0不同的检测标准所对应的各成分检测范围均有所不同。如表4所表4各标准对应化学成分的检测范围标准SiCCFe203SiO2SiGB/T3045与95W1.52.5W3.5W1.5JB/T5204>20>302.00.0993.0GB/T165550.1990.01'99300.10.20三、不同化学分析方法1 .普通磨料碳化硅化学成分分析主要用GB/T3045-2017普通磨料碳化硅化学分析方法标准检测，该标准主要分析碳化硅样品中二氧化硅、游离硅、游离碳、酸处理失量、总碳、碳化硅、三氧化二铁、三氧化二铝、M化钙、氧化镁含量。2 .碳化硅脱氧剂分析主要依据UB/T5204-2018碳化硅脱氧剂化学分析方法标准检测，该标准规定了氯化钠、碳、碳化硅、二氧化硅、硅、三氧化二铁、氧化钙、氧化镁、三氧化二铝、硫及磷的测定方法。3 .含碳化硅耐火材料及原料应用标准主要为GB/T16555-2017含碳、碳化硅、氮化硅耐火材料化学分析方法，主要项目为挥发分、灼烧减量、总碳量、游离碳量、碳化硅量、总氮量、总氧量、氮化硅量、游离硅量、游离铝量、二氧化硅量、氧化铝量、氧化铁量（所有价态铁以Fe2O3计）、二氧化钛量、氧化钙量、氧化镁量、氧化钾量、氧化钠量、五氧化二磷量、氧化错（错）量、一氧化镒量（所有价态镭以MnO计）、三氧化二辂量等项目。4 .碳化硅各项目检测技术对比表5碳化硅标准方法技术对照表碳化硅游离碳三氧化二铁二氧化硅游离硅总碳更化铝氧化钙氧化铁灼烧战分光级第分光分光光EDTA容CRZT酸挥11Z*/夕必必几原分光光度光度红外吸度法/原琏法/原EDTA容量vDI敢通UTT以IKrtfc/法/氧硅法/收法/子吸收子吸收法/原子量法/HXJ½J双酸钾容量气体吸收重光讷法光谱吸收光谱*>U<O间接法段虢'双收盅量HX/1.诺法/法容埴法做法/ICP-OES/ICP-OES/ICP-OES法ICP-OESJB/T52(M酸挥tt+J硫酸脚HiIR灼烧Mft红外吸收法分光光度法ZiCP-OES酸轴中和滴定酸碱中和滴定二甲酚橙比色法络合洸定法/ICP-OESEDTA容Ift法/原子吸收光谱/ICP-OEeEDTA容砒法/原子吸收光谱/ICP-OES法O间接法/直燃烧气燃烧气接法/体容贵C1.YrA体容址EDTA容高压法/燃BUiA法/燃量法（帙GBT溶样烧吸收iP引用GB/T6901容玳烧吸收铝连续审量型量法用GB/T6U法/审愤法滴定）/16555法/氮/燃烧光度/高频引用引用氟酸红外吸法炉燃烧GB/toooGB/T690引用挥敌收法/W1.红外战人号1GB/T6901间接法吸收法法