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重庆大学本科学生专业综合课程设计任务书课程设计题目LDO的BandgapVoltageReference模块设计学院光电工程学院专业电子科学与技术1班年级2009带隙电压基准源为其它单元电路模块提供一个与电源和工艺无关、受温度变化影响极小的基准电压。在2.7V6.0V的电压范围及全温范围内，基准源的输出VREF始终在1.2V左右。该模块是具有自偏置功能的带隙基准启动电路。芯片刚上电时，该模块开始工作，并通过信号线SU_REFB给基准模块的一个电容充电，使基准电路工作起来。当基准电压达到一定值（1.2V左右），输出信号SU_REFB被关闭，随后该模块停止工作。2.设计要求：（1）根据所提供的电路架构，利用EDA软件（如OrCAD）进行电路前仿真，要求满足性能指标如下：1）从芯片电特性指标看出，全电压范围内变化小于3.5mV;2）输入等于3V时，全温范围内要求基准变化小于6mV；3）电压工作范围VIN=2.7V6.0V；要求给出相应的器件参数，如MOS器件宽长比等。（2）利用版图设计软件（如L-Edit）进行版图设计，要求版图满足相应设计规范及相应性能指标，并从版图中提取T-SPiCe文件；（3）根据从版图中提取的参数，用T-SPiCe软件对电路进行后仿真，并与前仿真性能指标相比对；（4）撰写设计报告、答辩。学生应完成的工作：（1）根据所提供的电路架构，利用EDA软件（如OrCAD）进行电路前仿真，给出相应的器件参数，如MoS器件宽长比等。（2）利用版图设计软（件如L-Edit）进行版图设计，要求版图满足相应设计规范及相应性能指标，并从版图中提取T-SPiCe文件；（3）根据从版图中提取的参数，用T-SPiCe软件对电路进行后仿真，并与前仿真性能指标相比对；（4）撰写设计报告、答辩。目前资料收集情况（含指定参考资料）：1毕查德拉扎维著，陈贵灿等译.模拟CMOS性集成电路设计M.西安：西安交通大学出版社.2003.2孙润等.TANNER集成电路设计教程M.北京：希望电子出版社.2002.3吴建辉.CMOS模拟集成电路分析与设计M.北京：电子工业出版社.2004.4廖裕评，陆瑞强.集成电路设计与布局实战指导M.北京：科学技术出版社.2004.5姜岩峰.现代集成电路版图设计M.北京：化学工业出版社.2010.6陈中建.CMOS电路设计布局与仿真M.北京：机械工业出版社.2006.7施敏.半导体器件物理与工艺M.苏州：苏州大学出版社.2002.8聂神怡.DC_DC开关电源芯片技术研究.成都：电子科技大学硕士论文.2006.9张建人.MOS集成电路分析与设计基础M.北京：北京出版社.1994.10 PAULRGRAY.模拟集成电路的分析与设计M.北京：高等教育出版社.2005.11 JohnP.Uyemura（三）,周润德（译）.超大规模集成电路与系统导论M.北京：电子工业出版社.2004.课程设计的工作计划：（1）2012.9.32012.9.16（第1、2周）：熟悉L-Edit和T-SPiCe软件；按照给出的设计要求和参数,完成电路的前仿真。（2）2012.9.172012.9.23（第3周）：对设计的电路进行版图设计，并从版图中提取T-SPiCe文件；并根据从版图中提取的参数，用T-SPiCe软件进行仿真。将仿真结果与前仿真结果进行比较，如不满足设计指标要求，则修改版图，再提取参数、仿真比对，直到满足需要为止。（3）2012.9.24.2012.9.30（第4周）：撰写设计报告,答辩;提交符合规范的设计报告。任务下达日期2012年9月二_日完成日期年月日指导教师（签名）学生（签名）说明：1、学院、专业、年级均填全称，如：光电工程学院、测控技术、2009O2、本表除签名外均可采用计算机打印。本表不够，可另附页，但应在页脚添加页码。