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主板电路图符号大全-、电阻的型号命名方法用符号R表示，单位为欧姆、千欧、兆欧，分别用Q、KQ、MQ表示。第一部分：主称，用字母表示，表示产品的名字。如R表示电阻，W表示 电位器。第二部分：材料，用字母表示，表示电阻体用什么材料组成，T-碳膜、H- 合成碳膜、S-有机实心、N-无机实心、J-金属膜、丫-氮化膜、C-沉积膜、b玻 璃袖膜、X-线绕。第三部分：分类，一般用数字表示，个别类型用字母表示，表示产品属于 什么类型。1 -普通、2-普通、3-超高频、4-高阻、5-高温、6-精密、7-精密、 8-高压、9-特殊、G-高功率、T-可调。第四部分：序号，用数字表示，表示同类产品中不同品种，以区分产品的 外型尺寸和性能指标等，例如：RTll型普通碳膜电阻。二、电容的型号命名方法用C表示电容，电容单位有法拉（F）、微法拉（UF）、皮法拉（pF）, lF=106uF=1012pF第一部分：名称，用字母表示，电容器用C。第二部分：材料，用字母表示。用字母表示产品的材料：A-锂电解、B-聚 苯乙烯等非极性薄膜、C-高频陶瓷、D-铝电解、E-其它材料电解、G-合金电 解、H-复合介质、I-玻璃釉、J-金属化纸、L-涤纶等极性有机薄膜、N-铝电 解、。-玻璃膜、Q-漆膜、T-低频陶瓷、V-云母纸、Y-云母、Z-纸介。第三部分：分类，一般用数字表示，个别用字母表示。第四部分：序号，用数字表示。三、电感线圈用L表示，单位有亨利（H）、毫亨利（mH） 微亨利（uH）, 1H=103）H=106uHo1、电感量L,电感量L表示线圈本身固有特性，与电流大小无关。除专门 的电感线圈（色码电感）外，电感量一般不专门标注在线圈上，而以特定的名 称标注。2、感抗XL,电感线圈对交流电流阻碍作用的大小称感抗XL,单位是欧 姆。它与电感量L和交流电频率f的关系为XL=2冗fL。3、品质因素Q,品质因素Q是表示线圈质量的一个物理量，Q为感抗XL与 其等效的电阻的比值，即：Q=XL/R线圈的Q值愈高，回路的损耗愈小。线圈的 Q值与导线的直流电阻，骨架的介质损耗，屏蔽罩或铁芯引起的损耗，高频趋 肤效应的影响等因素有关，线圈的Q值通常为几十到几百。4、分布电容，线圈的匝与匝间、线圈与屏蔽罩间、线圈与底版间存在的电 容被称为分布电容。分布电容的存在使线圈的Q值减小，稳定性变差，因而线 圈的分布电容越小越好。四、半导体器件第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管。第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管 时：A-N型错材料、B-P型倍材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管 时：A-PNP型倍材料、B-NPN型错材料、JPNP型硅材料、D-NPN型硅材料。第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波 管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光 电器件、K-开关管、XT氐频小功率管（F3MHz, Pc （IW） > G-高频小功率管 （f3MHz, Pc （IW） D-低频大功率管（f3MHz, Pc1W） > A-高频大功率 管（f3MHz, Pc1W） > T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B- 雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN- PIN型管、JG-激光器件。第四部分：用数字表示序号。第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高 频三极管。