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    模拟电子技术(新).docx

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    模拟电子技术(新).docx

    5、为了使一个低阻输出的放大电路转变为一个高阻输出的放大电路,可以在低阻输出的放大电路的后面接入()。A共射电路B共基电路C共集电路D任一组态的电路6光电耦合的突出优点是()A提高输出功率B实现阻抗变换C提高放大倍数D抗干扰能力强7典型的长尾是放大电路中,射级电阻REE的主要作用()0A提高输入电阻B提高差模电压增益C提高共模电压增益D提高共模抑制比8放大电路产生零漂的主要原因是()A采用变压器耦合方式B采用阻容耦合方式C环境温度变化D电压倍数过大9采用差分放大电路作为多级放大电路第一级的原因是()A抗干扰能力强B提高输入电阻C提高放大倍数D克服温漂10只有()场效应管只可采用外置偏压电路A增强型B耗尽型C结型D增强型和耗尽型11负反馈所能抑制的干扰和噪声是()A外界对数输入信号的干扰和噪声B外界对输出信号的干扰和噪声C反馈环内的干扰和噪声D反馈环外的干扰和噪声12为了得到一个有电流控制的电流源,应选择()负反馈放大电路A电压串联负反馈B电压并联负反馈C电流串联负反馈D电流并联负反馈13负反馈放大电路产生自激条件是()AAB=IBAB=-ICAB=ODAB=14多级负反馈放大电路容易引起自激震荡的原因是()石家庄铁道大学继续教育学院保定党职校函授站模拟电子技术试卷课程:主讲教师:考试时间:分钟班级:姓名:学号:一考试口期一题号一二三四五七八总分满分得分幡人一、选择(每题3分,共45分)1、当温度升高时,二极管的反向饱和电流会()A增加B减小C不变D不确定2、晶体管工作在放大区时,具有()的特点A发射结正偏、集电结反偏B发射结反偏、集电结正偏C发射结、集电结均正偏D发射结、集电结均反偏3、在共射、共集、共基三种基本组态放大电路中,电压放大倍数小于1的是()组态。A共射B共集C共基D不确定4、三极管的特征频率f点对应的B为()A=12B=lC=0.5D=3三、计算(每题20分,共计40分)1放大电路如图a所示,已知Vcc=3V,Ub=0.7V,Rc=3KQ,Rb=150K,晶体管VT的£=50,试求:放大电路的静态工作点ICQ和Uceq;A电路增益Af过大B反馈系数B过大C反馈深度F过大D各级放大电路的参数分散15可以放大电流又不放大电压的是()组态放大电路A、CEB、CCC、CBD、任意组合二、填空(每题3分,共计15分)IPN结反向击穿有热击穿和()和()性2晶体三极管的三个工作区分别是()、(3二极管基本结构是PN结,PN结具有(4半导体是依靠()两种载流子导电的CiF+USODrcUiOVCCUo口 RL5温漂的抑制方法 有((a)hie=l,hrehce*。电路参数为:RE=IOoQ,Rbi=IOOKQ,Rb2=50K,Rc=2K,RL=2KQ。试求:Agf,rjf,rOr和Aufo2负反馈放大电路如图所示,其中晶体管的参数为:hfe=lOO,

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