模电试卷答案及评分标准.docx

模拟电子技术基础模拟试题参考答案一、半导体器件（共20分）1、（2分）B2、（2分）BC3、（10分）（I）N沟道增强型MOSFET（3分）（2）（a）图：MOSFET工作在截止状态（1分）（b）图：（3分=K”（Vcs代入'=2V,Vgs=4V,VDS=5V时,Ii）=9niA解得Kn=2.25则/°=K（VGS-Vr）2=2.25（3-2）2=2.25"M.Vds=Vdd-d×5.1XT=0.525V<Vgs-V7MOSFET1工作在可变电阻状态（C）图：（3分）%s=Vdd-Id×2.2KQ=7.05V>Vcs-VMOSFET工作在饱和状态4、（6分）CkC2参数为：10FRb参数为：300KQRC参数为：3KQ二、放大电路分析和设计（共38分）1、（2分）C2、（6分）（1）乙类交越失真C3、（30分）（1）三极管Ti、T2均工作在共射组态（2分）（2）（4分）（5分）一以Rg 鼠2）% +（1 + 0 ReM= -6.6的二他3 7。（4分）Av = Av × Av2 330Ri=Rbrl ÷（l + ）Rell 5.77CRo Rc2 = 2KQ（4） （9分）存在反馈；反馈极性和组态为：电流并联负反馈；该负反馈对电路的影响为：使输入电阻减小, 输出电阻增大,可抑制环内的干扰和噪声等。（5） （3分）深度负反馈的条件下，闭环电流放大倍数A =（6） （3分）电路不能工作，因为三极管Tl没有直流偏置。= -35三、运算放大电路（共16分）1、（2 分）A2、（14 分）（1） （2分）差分 零点漂移（2） （2分）A1:反相放大电路A2> A4：电压跟随器A3：减法电路（3） （10分）根据“虚断”、“虚断”o = 0io2 = i2则：解得:R4"万F”3%3=+t）&=IOKQ一°iU3p = p-°3& R4%=%3=（%+%）“3四、振荡放大电路及直流稳压电源（共26分）1、（2分）A2、（14分）（1）（4分）即工作在线性状态，A2工作在非线性状态，Rf（2）（2分）1H>3RI.Rf>2R=40KC力=2RCr=102x3.14XRXO.1x10-6则R16K（2分）替换R（2分）（5）（4分）3、（10分）（I）（4分）电源变压器50HZ（2）（6分）（此题为非标题，答案仅供参考）